[发明专利]一种制备AlN外延层的方法有效
| 申请号： | 201911303568.X | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN111105994B | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 吴华龙;赵维;何晨光;张康;贺龙飞;廖乾光;刘云洲;陈志涛 | 申请（专利权）人： | 广东省半导体产业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 郭斌莉 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制备AlN外延层的方法，涉及半导体技术领域，该制备外延层的方法，在执行AlN外延生长之前，先在反应腔的腔盖上沉积GaN覆盖层，并在GaN覆盖层上沉积AlN覆盖层，由于GaN覆盖层的附着力较弱，能够通过毛刷轻易地将GaN从反应腔的腔盖上清除，在每一炉外延生长完成后可通过普通的毛刷进行清理，十分方便，同时通过覆盖一层AlN层，可防止高温生长过程中GaN覆盖层发生分解，导致杂质进入AlN外延层。相较于现有技术，本发明采用双覆盖层的技术，通过在反应腔的腔盖上沉积GaN和AlN，为AlN外延生长提供了稳定的腔室条件，可实现AlN外延层的大规模稳定制备，可大幅提升生产与研发效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 aln 外延 方法 | ||
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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