[发明专利]羟基铁表面引发硼亲和印迹聚合物的制备方法及其应用于提取莽草酸有效
| 申请号： | 201911293403.9 | 申请日： | 2019-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN111072851B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 邱凤仙;潘志远;朱瑶;杨冬亚;毛凯丽;张涛;潘建明 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | C08F230/04 | 分类号： | C08F230/04;C08F220/06;C08F230/06;C08F222/14;B01J20/26;B01J20/30;C07C51/47;C07C62/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 212013 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于资源利用和化工分离技术领域，涉及羟基铁表面引发硼亲和印迹聚合物的制备方法，包括：将氯化铁与硝酸钠加入去离子水中，水热反应得羟基铁；将羟基铁溶于无水乙醇中，超声分散均匀；按照质量体积比为1～5g:30mL的比例，将KH570溶于乙醇溶液，加入含羟基铁材料的乙醇中，加热回流、离心、洗净，真空烘干得乙烯基改性羟基铁；将其溶于去离子水，加入过硫酸铵与甲基丙烯酸；在乙腈溶液加入莽草酸、VPBA、交联剂EGDMA、AIBN反应即得。本发明以羟基铁材料为基底，在表面制备分子印迹聚合物引入双重识别机制，使得具有顺式二羟基结构的莽草酸在表面富集，有效分离。在富集分离以及纯化具有顺式二羟基结构的天然产物领域，本发明有较好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 羟基 表面 引发 亲和 印迹 聚合物 制备 方法 及其 应用于 提取 莽草 | ||
【主权项】：
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