[发明专利]一种薄膜铌酸锂单偏振波导及其制备方法有效
| 申请号： | 201911279183.4 | 申请日： | 2019-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN110989076B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 夏金松;刘宇恒;曾成 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G02B6/10 | 分类号： | G02B6/10;G02B6/126;G02B6/136 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜铌酸锂单偏振波导及其制备方法，属于集成光子学领域。该波导从上至下包括上包层、铌酸锂薄膜波导芯层、下包层和衬底层；所述铌酸锂薄膜波导芯层包括脊形波导和位于所述脊形波导两侧的槽形区域；脊形波导的宽度和刻蚀深度小于TM0模式存在截止值，脊形波导中的TM0模式与和所述槽形区域中的TE1模式发生交叉耦合；槽形区域的宽度取值使得从所述脊形波导中TM0模式耦合到两侧槽形区域的TE1模式与泄漏到槽形区域的TM0模式发生相干相长。通过优化微纳光波导结构的几何参数，获得仅支持TE0模式稳定传输的波导结构。本发明中的薄膜铌酸锂单偏振波导对光场的限制能力强，提高了器件的集成度，简化了工艺流程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 铌酸锂单 偏振 波导 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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