[发明专利]在半导体晶片中形成高深宽比特征的方法在审

专利信息
申请号: 201911275551.8 申请日: 2019-12-12
公开(公告)号: CN111326415A 公开(公告)日: 2020-06-23
发明(设计)人: 姜东勋 申请(专利权)人: 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司
主分类号: H01L21/311 分类号: H01L21/311;H01L21/66
代理公司: 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 代理人: 彭辉剑;龚慧惠
地址: 266000 山东省青岛市黄岛区*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明提供了一种在半导体晶片中形成高深宽比(High Aspect Ratio,简称HAR)特征的方法。该方法包括以下步骤:晶片被放置在蚀刻设备的处理室中;将晶片的第一氮化物层朝向晶片的第一氧化物层蚀刻预定的持续时间;将晶片的第一氧化物层朝向晶片的第二氮化物层蚀刻,同时利用蚀刻设备的终点检测器监测处理室中的参数;在蚀刻设备的控制单元判断由终点检测器检测到的处理室中的参数是否超过预定值;如果终点检测器检测到的参数超过预定值,则标记晶片的第一氧化物层的蚀刻终点。
搜索关键词: 半导体 晶片 形成 高深 特征 方法
【主权项】:
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