[发明专利]锰掺杂的InZnP量子点及其制造方法有效
| 申请号： | 201911258105.6 | 申请日： | 2019-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN111676016B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 韩哲钟;金智溶;朴卿元 | 申请（专利权）人： | 电子部品研究院 |
| 主分类号： | C09K11/70 | 分类号： | C09K11/70;B82Y20/00;B82Y40/00;C01B25/08 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 宋珂;庞东成 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有高再现性并且表现出优异的光学效率的锰掺杂的InZnP量子点，以及制造该量子点的方法。根据示例性实施方式的一个方面，锰掺杂的InZnP量子点如下制造：通过使乙酸铟、乙酸锌和三(三甲基甲硅烷基)膦反应来合成InZnP量子点，然后用锰掺杂InZnP量子点。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 inznp 量子 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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