[发明专利]半导体蚀刻设备在审
| 申请号： | 201911241229.3 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN111326444A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 姜东勋 | 申请（专利权）人： | 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 赵文曲 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体蚀刻设备，包括处理室、载送机构、转移室、设备前端模块和前置装载室，所述处理室用于蚀刻半导体晶圆，转移室，设置在所述处理室与所述设备前端模块之间，所述前置装载室用于连接所述转移室和所述设备前端模块，载送机构用于载入或载出半导体晶圆，所述设备前端模块设置在所述载送机构与所述前置装载室之间；所述半导体蚀刻设备还包括清洁系统，所述设备前端模块设置于所述清洁系统和所述前置装载室之间；所述清洁系统包括可旋转平台和供液单元，所述旋转平台用于承载和旋转半导体晶圆，所述供液单元用于供应去离子水，配合所述旋转平台清洁半导体晶圆。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 蚀刻 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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