[发明专利]提升磁性隧道结自由层垂直各向异性的覆盖层结构单元有效

专利信息
申请号: 201911234267.6 申请日: 2019-12-05
公开(公告)号: CN112928204B 公开(公告)日: 2023-06-02
发明(设计)人: 张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 申请(专利权)人: 上海磁宇信息科技有限公司
主分类号: H10N50/10 分类号: H10N50/10;G11C11/16
代理公司: 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 代理人: 于晓菁
地址: 201815 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种提升磁性隧道结自由层垂直各向异性的覆盖层结构单元,磁性隧道结的覆盖层结构由下而上依序为第一覆盖层、第二覆盖层、第三覆盖层和第四覆盖层叠加的结构所组成;第一覆盖层主要作用在为自由层提供一个额外的垂直各向异性来源,从而增加其热稳定性;第二覆盖层主要作用在增强磁性隧道结的热稳定性;第三覆盖层主要作用在防止顶电极中的元素扩散到第一覆盖层;第四覆盖层作为后续的刻蚀阻挡层。该磁性隧道结结构有利磁性随机存储器电路的读/写性能的提升,也常有利于其磁场免疫能力的提升,及非常有利制作超小型的磁性随机存储器。
搜索关键词: 提升 磁性 隧道 自由 垂直 各向异性 覆盖层 结构 单元
【主权项】:
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