[发明专利]半导体结构及其形成方法在审

专利信息
申请号: 201911198495.2 申请日: 2019-11-29
公开(公告)号: CN112885812A 公开(公告)日: 2021-06-01
发明(设计)人: 左权 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L23/532 分类号: H01L23/532;H01L21/768
代理公司: 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 代理人: 孙佳胤
地址: 230001 安徽省合肥市蜀山*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明涉及一种半导体结构及其形成方法,能够提高使用该互连层的半导体器件的可靠性及稳定性。所述半导体结构包括:衬底;依次形成在所述衬底上方的第一器件层和第二器件层;形成于所述第一器件层和第二器件层之间的介电层,所述介电层内镶嵌有金属层,所述金属层的第一端和第二端分别外露于所述介电层的上底面和下底面;所述金属层外表面形成有阻挡层包裹所述金属层,以阻挡金属层内的金属离子与所述第一器件层、第二器件层以及介电层之间发生电迁移。
搜索关键词: 半导体 结构 及其 形成 方法
【主权项】:
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