[发明专利]一种基于光散射的晶圆表面颗粒缺陷的散射场计算方法在审
| 申请号： | 201911165226.6 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN110990754A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 廖程;许爽;李公法;刘超;马如意;廖尚春 | 申请（专利权）人： | 武汉科技大学 |
| 主分类号： | G06F17/10 | 分类号： | G06F17/10 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 魏波 |
| 地址： | 430081 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于光散射的晶圆表面颗粒缺陷的散射场计算方法，首先利用平行光照射，与晶圆片上颗粒直接作用的入射光记为A，与晶圆片上光滑表面作用的入射光记为B；A与颗粒作用产生散射光，一部分向下散射继续与超光滑表面作用的散射光记为D，一部分向上散射被探测器收集到的散射光记为C；B与光滑表面作用产生的散射光，通过窗函数筛选出继续与颗粒作用的散射光记为E，未被中筛选出的散射光被探测器收集记为F；最后叠加得到的六种散射场来获得颗粒缺陷下的散射场。本发明解决了纳米级颗粒缺陷无法识别的问题，并且通过得到的颗粒缺陷产生的散射场信息，如偏振，光强等，提高了颗粒缺陷检测的识别率和芯片的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 散射 表面 颗粒 缺陷 计算方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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