[发明专利]侧面光栅氧化限制结构单纵模边发射激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 201911163482.1 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN110880675A | 公开（公告）日： | 2020-03-13 |
| 发明（设计）人： | 王岩;罗帅;季海铭 | 申请（专利权）人： | 江苏华兴激光科技有限公司;武汉凹伟能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22 |
| 代理公司： | 武汉今天智汇专利代理事务所(普通合伙) 42228 | 代理人： | 邓寅杰 |
| 地址： | 221300 江苏省徐州市邳州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及光电子器件设计技术领域，尤其涉及一种侧面光栅氧化限制结构单纵模边发射激光器及其制备方法，其不同之处在于：其包括N电极层；衬底，设于N电极层上；下盖层，设于衬底上；下波导层，设于下盖层上；有源区，设于下波导层上；脊形条结构，设于有源区上；所述脊形条结构包括：上波导层，设于有源区上；中间高铝组份层，设于上波导层上；上盖层，设于中间高铝组份层上；接触层，设于上盖层上；P电极层，设于接触层上；侧面光栅结构，设于脊形条结构侧部，具有凹槽状的周期结构。本发明有助于电流高效注入、大模式体积基横模的实现，以及低损耗模式选择光栅的实现。 | ||
| 搜索关键词： | 侧面 光栅 氧化 限制 结构 单纵模边 发射 激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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