[发明专利]一种氮化铝粉体的纯化方法、该方法制得的氮化铝粉体及其应用在审
| 申请号： | 201911141996.7 | 申请日： | 2019-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN110697665A | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 韩耀;王华栋;吕毅;赵英民;张昊;张天翔 | 申请（专利权）人： | 航天特种材料及工艺技术研究所 |
| 主分类号： | C01B21/072 | 分类号： | C01B21/072 |
| 代理公司： | 11609 北京格允知识产权代理有限公司 | 代理人： | 谭辉 |
| 地址： | 100074 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化铝粉体的纯化方法，包括：(1)将含有碳杂质的氮化铝粉体原料放入容器中，并容器置于烧结炉中，然后通过抽真空排出炉内杂质气体；(2)向烧结炉中通入二氧化碳气体，然后进行烧结处理，从而获得所述氮化铝粉体。本发明还涉及由所述方法制得的氮化铝粉体以及所述氮化铝粉体在氮化铝陶瓷制备中的应用。本发明方法突破传统排碳工艺的局限性，在不引入新的氧元素杂质条件下，除去氮化反应中未反应完全的碳杂质，获得高纯度的氮化铝粉体，其能够有效促进氮化铝陶瓷的烧结合成，最终有效提高氮化铝陶瓷产品的热导率等性能，因此在制造散热基片和电路基板尤其是大规模集成电路基板领域具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化铝粉体 氮化铝陶瓷 烧结炉 碳杂质 大规模集成电路 二氧化碳气体 原料放入容器 氮化反应 电路基板 散热基片 烧结处理 有效促进 杂质气体 烧结 抽真空 高纯度 热导率 氧元素 出炉 基板 制备 应用 合成 引入 制造 | ||
【主权项】：
1.一种氮化铝粉体的纯化方法，其特征在于，所述纯化方法包括如下步骤：/n(1)将含有碳杂质的氮化铝粉体原料放入容器中，并容器置于烧结炉中，然后通过抽真空排出炉内杂质气体；/n(2)向烧结炉中通入二氧化碳气体，然后进行烧结处理，从而获得所述氮化铝粉体。/n
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