[发明专利]铁电薄膜三元复合光电极及其制备方法有效
申请号: | 201911108265.2 | 申请日: | 2019-11-13 |
公开(公告)号: | CN110656350B | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
发明(设计)人: | 方亮;王顺;游陆 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | C25B11/053 | 分类号: | C25B11/053;C25B11/091;C25B1/55;C25B1/04;C23C28/04;C23C18/12;C23C16/34 |
代理公司: | 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 | 代理人: | 周仁青 |
地址: | 215000*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
本发明揭示了一种铁电薄膜三元复合光电极及其制备方法,所述制备方法包括:S1、提供一导电基片;S2、在导电基片表面制备铁电薄膜,得到铁电薄膜光电极;S3、在铁电薄膜表面制备氧化钛薄膜;S4、通过化学气相沉积法在氧化钛薄膜表面负载石墨相氮化碳,得到铁电薄膜三元复合光电极。本发明采用三步法制备铁电薄膜三元复合光电极,工艺简单,成本较低,便于大规模制备;三元复合光电极能够最大程度上提高光电极与电解液间载流子传输性能,提高光电转化效率,光电流密度能从15μA/cm |
||
搜索关键词: | 薄膜 三元 复合 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种铁电薄膜三元复合光电极,其特征在于,所述三元复合光电极包括导电基片、位于导电基片表面的铁电薄膜、位于铁电薄膜表面的氧化钛薄膜及负载于氧化钛薄膜表面的石墨相氮化碳。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州大学,未经苏州大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201911108265.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。