[发明专利]一种铜熔体的除杂方法、高纯高导铜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201911033224.1 申请日: 2019-10-28
公开(公告)号: CN110616338B 公开(公告)日: 2022-03-15
发明(设计)人: 皇涛;刘海涛;宋克兴;周延军;程楚;安士忠;张彦敏;国秀花;李韶林;朱一明;宋金涛;张凌亮 申请(专利权)人: 河南科技大学
主分类号: C22B15/00 分类号: C22B15/00;C22B9/05
代理公司: 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 代理人: 胡云飞;李宁
地址: 471003 河*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明涉及一种铜熔体的除杂方法、高纯高导铜的制备方法,属于有色金属加工技术领域。本发明的铜熔体的除杂方法,包括以下步骤:向待处理的铜熔体通入氧气或空气,然后除去铜熔体表面的浮渣,再加入还原剂进行脱氧;待处理的铜熔体中铜的质量百分含量≥99.90%,氧的质量百分含量<0.004%。本发明的铜熔体的除杂方法,采用氧化‑还原两阶段法对高纯铜熔体中杂质元素进行脱除,氧化阶段可以将铜熔体中的还原性杂质元素通过氧化法生成浮渣而脱除,还原阶段可以将利用还原剂将铜熔体中的氧元素通过还原法脱除,可以实现高纯高导铜中杂质元素含量的有效降低,获取导电率≥100%IACS的高纯高导铜。
搜索关键词: 一种 铜熔体 方法 高纯 高导铜 制备
【主权项】:
1.一种铜熔体的除杂方法,其特征在于:包括以下步骤:/n1)向待处理的铜熔体通入氧气或空气至铜熔体中氧的质量百分含量为0.004~0.07%;待处理的铜熔体中铜的质量百分含量≥99.90%,氧的质量百分含量<0.004%;/n2)然后除去铜熔体表面的浮渣;/n3)再在除去浮渣的铜熔体加入还原剂进行脱氧。/n
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