[发明专利]一种阵列基板及其制造方法和显示面板在审
| 申请号： | 201911021548.3 | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN110718562A | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 赵舒宁 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法和显示面板，该阵列基板包括衬底基板，同层且间隔设置在所述衬底基板上的第一金属遮光层、第二金属遮光层，以及所述第一金属遮光层和第二金属遮光层上且覆盖所述衬底基板的缓冲层，以及所述缓冲层上的薄膜晶体管和介电层，所述薄膜晶体管位于所述第一金属遮光层正投影区域的上方，薄膜晶体管的漏极贯穿所述介电层和所述缓冲层与所述第二金属遮光层接触。由于将阵列基板中部分的金属走线的功能通过衬底基板上的金属遮光层实现，因此可以减少因金属走线短路造成显示面板上亮线、亮点的风险，同时可以提高显示面板的开口率。 | ||
| 搜索关键词： | 金属遮光层 衬底基板 薄膜晶体管 显示面板 阵列基板 缓冲层 金属走线 介电层 正投影区域 间隔设置 开口率 短路 亮线 漏极 同层 贯穿 覆盖 制造 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：/n衬底基板；/n同层且间隔设置在所述衬底基板上的第一金属遮光层和第二金属遮光层；/n缓冲层，位于所述第一金属遮光层和所述第二金属遮光层上且覆盖所述衬底基板；/n设置于所述缓冲层上的薄膜晶体管和介电层，所述薄膜晶体管位于所述第一金属遮光层正投影区域的上方；及/n所述薄膜晶体管的漏极贯穿所述介电层和所述缓冲层与所述第二金属遮光层接触。/n
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- 陈哲 - 武汉华星光电技术有限公司
- 2016-12-13 - 2020-01-31 - H01L27/12
- 本发明提供一种TFT背板及其制作方法。本发明的TFT背板的制作方法，利用具有三种光线穿透率的半色调掩膜板对有机光阻层进行黄光制程，通过一道黄光工序即可实现三种曝光效果，从而同时形成像素定义层、像素定义层上的开口、及支撑层，与现有技术相比，本发明节约了一道掩膜板与一道黄光工序，可有效节省治具成本和生产成本；同时，在结构上所述支撑层与像素定义层为一个整体，可避免支撑层脱落，有效提高显示器的显示品质。本发明的TFT背板，像素定义层与支撑层在同一个制程中制得，制程简单，生产成本低，且由于像素定义层与支撑层为一个整体，可避免出现支撑层脱落的问题，从而有效提高显示器的显示品质。
- TFT驱动背板的制作方法-201710465756.7
- 周星宇 - 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
- 2017-06-19 - 2020-01-31 - H01L27/12
- 本发明提供一种TFT驱动背板的制作方法，先在缓冲层上于屏蔽层电极块的上方形成电容增大槽和第一过孔，在电容增大槽上方形成栅层电极块，再在层间绝缘层上形成与第一过孔相连通的第二过孔，后续信号连接块通过所述第一过孔和第二过孔与屏蔽层电极块相接触，本发明通过先后在缓冲层和层间绝缘层上分别形成第一过孔和第二过孔，避免了对缓冲层和层间绝缘层一起开孔所造成的器件电性异常，并且通过在缓冲层上设置电容增大槽，相对于现有技术，减薄了栅层电极块与屏蔽层电极块所形成的存储电容的介质层的厚度，从而有效提高了存储电容的电荷存储能力，进而可使存储电容所占用的面积相应减小，增大TFT驱动背板的开口率。
- 显示面板及显示装置-201910922443.9
- 杜鹏;宋乔乔 - 深圳市华星光电技术有限公司
- 2019-09-27 - 2020-01-24 - H01L27/12
- 本揭示提供一种显示面板及显示装置，显示面板包括衬底基板、薄膜晶体管器件层、钝化层以及导电膜层，导电膜层通过第一过孔与薄膜晶体管器件层中薄膜晶体管的栅极电连接，导电膜层与薄膜晶体管的源/漏极相对应的区域至少部分重叠并用以形成第一电容结构，同时薄膜晶体管的源/漏极与薄膜晶体管的栅极相对应的重叠区域形成第二电容，第一电容与第二电容形成并联结构，从而提升了驱动电路中的升压电容的电容值，压缩了驱动电路的设计空间，实现窄边框产品的设计。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
