[发明专利]一种3D极化选择结构在审
| 申请号： | 201911007898.4 | 申请日： | 2019-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN110718764A | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 张岭;陈志勇 | 申请（专利权）人： | 武汉灵动时代智能技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00 |
| 代理公司： | 11429 北京中济纬天专利代理有限公司 | 代理人： | 邓佳 |
| 地址： | 434000 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种3D极化选择结构，用平行波导实现无耗传输特性工作原理，结合超材料极化响应的原理，通过平行于电磁波传播方向的金属结构实现了极化的选择。当入射电磁波极化为TE极化时，结构实现无损传输，约99％的能量透射；而当入射电磁波极化为TM极化时，结构实现全反射特性，约100％的能量被反射，从而提高投射极化和反射极化的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 结构实现 电磁波 极化 入射 电磁波传播方向 反射极化 工作原理 极化响应 极化选择 金属结构 平行波导 无耗传输 无损传输 超材料 全反射 透射 投射 反射 平行 | ||
【主权项】：
1.一种3D极化选择结构，其特征在于，包括：/n至少两个金属结构，所述至少两个金属机构的表面互相平行，且每两个金属结构之间有空隙。/n
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- 2019-09-09 - 2019-11-26 - H01Q15/00
- 本发明公开了一种辐射和散射一体化的信息超构材料表面，所述信息超构材料表面由周期或者非周期排布的人工电磁结构单元构成，同时具有辐射电磁场/波调控和散射电磁场/波调控的能力，构成所述信息超构材料表面的单元至少具有1‑比特的单元码元，所述信息超构材料表面至少在一个电磁物理域内可进行调控。该信息超构材料表面解决了传统的超表面单一的只应用于散射或者辐射领域的局限性问题，同时具备对电磁波在时‑空‑频‑极化等多维电磁物理空间实时调控的能力，即具有更为强大的综合调控能力，在高性能天线、智能天线、新体制雷达、新体制通信系统、减小雷达散射截面等都具有广阔的应用前景。
- 一种电磁吸收超材料-201710685056.9
- 李铁;余爱生;李伟;王跃林 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 2017-08-11 - 2019-11-26 - H01Q15/00
- 本发明提供一种电磁吸收超材料，其上表面处于工作环境中，包括周期性谐振单元阵列，所述电磁吸收超材料所述电磁吸收超材料上表面设有一层电介质复合薄膜，该薄膜为固态电介质层按不同厚度比例的叠加所述电介质复合薄膜的材料选自氧化硅、氮化硅、氧化铝、氟化镁或硅中的至少两种。本发明的电磁吸收超材料通过选取不同种类的介质薄膜，并把他们按照一定比例叠加，可以获得折射率在选取介质中最大与最小折射率之间的介质薄膜，从而实现表面晶格共振的更加灵活和可控的调制；电介质复合薄膜为固态电介质层按不同厚度比例的叠加，所以几乎可以在任意工作环境下工作，甚至是液态或运动的环境。
- 一种检测超宽带和宽角度斜入射的平面极化转换器-201910782911.7
- 刘永强;孙金海;李粮生;殷红成 - 北京环境特性研究所
- 2019-08-23 - 2019-11-22 - H01Q15/00
- 本发明涉及一种检测超宽带和宽角度斜入射的平面极化转换器，包括超表面结构、介质衬底和金属底板，超表面结构放置在介质衬底上端面，金属底板放置在介质衬底下端面，单一配合的超表面结构、介质衬底和金属底板为一组单元结构，多组单元结构沿x‑y方向呈正方形阵列分布，超表面结构为正方形金属贴片，排列周期(边长)小于工作频带中心频率波长的一半，超表面结构的厚度为工作频带中心频率波长的百分之一至千分之一之间，超表面结构上开设有沿正方形金属贴片对角线倾斜对称分布的上开口弧形槽和下开口弧形槽，本发明具有结构紧凑、小型化、宽带、全极化和大入射角度高效率极化转换的优点。
- 一种基于紧耦合双面贴片结构的人工电介质表面-201910741121.4
- 杨歆汨;孙达 - 苏州大学
- 2019-08-12 - 2019-11-15 - H01Q15/00
- 本发明公开了一种基于紧耦合双面贴片结构的人工电介质表面，该基于紧耦合双面贴片结构的人工电介质表面包括由上至下依次设置的上层金属层、介质基板和下层金属层，上层金属层和下层金属层均由大小相等的正方形贴片周期阵列而成，上层金属层和下层金属层的正方形贴片在X和Y方向上均存在相对偏移。本发明的基于紧耦合双面贴片结构的人工电介质表面的等效相对介电常数的调节范围较宽，上限值较高，可以满足现有高性能应用场合下对电磁波灵活调控的需要。本发明提出人工电介质表面的单元谐振频率较高，可以满足在较高微波频率比如在20GHz以上实现较高相对介电常数的要求。
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