[发明专利]存储器元件在审

专利信息
申请号: 201910986718.5 申请日: 2019-10-17
公开(公告)号: CN112614844A 公开(公告)日: 2021-04-06
发明(设计)人: 古绍泓;程政宪;蔡文哲 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L27/11529 分类号: H01L27/11529;H01L27/11551;H01L27/11573;H01L27/11578;H01L27/112
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开了一种存储器元件,该存储器元件包括一基板、一叠层结构、多个通道结构、多个存储层以及多个浅隔离结构。基板具有一上表面。叠层结构位于基板的上表面上,其中叠层结构包括交替堆叠于上表面上的多个绝缘层及多个导电层。通道结构穿过部分的叠层结构并电性连接于基板。各个存储层环绕所对应的各个通道结构。浅隔离结构由叠层结构的一顶面朝向基板的方向延伸,其中各个浅隔离结构包括一物质,此物质的介电常数小于3.9。
搜索关键词: 存储器 元件
【主权项】:
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