[发明专利]可改善LeTID现象的P型单晶PERC电池及其制作方法

摘要

本发明提供了一种可改善LeTID现象的P型单晶PERC电池的制作方法，包括如下步骤：步骤S1，表面织构；步骤S2，高温磷扩散；步骤S3，周边刻蚀及背面抛光；步骤S4，正、背面二氧化硅层制备；步骤S5，背面氧化铝层制备；步骤S6，背面碳氮化硅层制备；步骤S7，背面氮氧化硅叠层制备；步骤S8，正面氮氧化硅层制备；步骤S9，背面激光开槽；步骤S10，正、背面电极制备。本发明通过改变电池膜层结构、制作原材料及相应的工艺优化方法来减少氢源来源，降低太阳能电池片中的多余氢原子，达到改善太阳能电池LeTID现象的技术效果。