[发明专利]一种智能功率模块及具有其的电子设备在审

专利信息
申请号: 201910951438.0 申请日: 2019-10-08
公开(公告)号: CN112635430A 公开(公告)日: 2021-04-09
发明(设计)人: 王华辉;江伟;史波 申请(专利权)人: 珠海格力电器股份有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L25/18
代理公司: 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 代理人: 郭金鑫
地址: 519070*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种智能功率模块及具有其的电子设备;智能功率模块包括陶瓷基板和分别连接于所述陶瓷基板两侧第一框架和第二框架,所述陶瓷基板包括沿预设方向依次设置的多个陶瓷板块,相邻两个所述陶瓷板块通过连接组件连接。根据本发明提供的智能功率模块,将陶瓷基板分割多个陶瓷板块,多个陶瓷板块通过连接组件拼接形成一整体,避免应力集中,防止陶瓷基板在安装时因受力不均匀而产生裂痕。
搜索关键词: 一种 智能 功率 模块 具有 电子设备
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于珠海格力电器股份有限公司,未经珠海格力电器股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910951438.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 半导体封装-202310357676.5
  • 朴珉庆;宋生燮;郑锜泓 - 三星电子株式会社
  • 2023-04-04 - 2023-10-27 - H01L23/498
  • 一种半导体封装包括衬底、设置在衬底上的第一芯片结构、设置在衬底上的第二芯片结构、设置在第一芯片结构和第二芯片结构之间的至少一个控制器、以及接合线结构,该至少一个控制器包括设置于在第一方向上彼此相对的边缘上的边缘焊盘、以及设置在边缘焊盘之间的中心焊盘。衬底包括:第一接合焊盘,沿垂直于第一方向的第二方向布置;以及第二接合焊盘,沿第二方向布置在第一接合焊盘与第一芯片结构之间的空间和第一接合焊盘与第二芯片结构之间的空间中的至少一个空间中。接合线结构包括将边缘焊盘连接到第一接合焊盘的第一接合线结构、以及将中心焊盘连接到第二接合焊盘的第二接合线结构。
  • 用于低温接合的结构和方法-202310947688.3
  • 塞普里昂·艾米卡·乌卓 - 艾德亚半导体科技有限责任公司
  • 2017-10-25 - 2023-10-27 - H01L23/498
  • 一种制造组件的方法,其可包含将在第一基板的第一表面处的第一电性传导元件的顶表面与在第二基板的主要表面处的第二电性传导元件的顶表面并置。其中为下列中之一者:所述第一传导元件的所述顶表面可下凹至所述第一表面之下,或所述第二基板的所述顶表面可下凹至所述主要表面之下。电性传导纳米粒子是被设置在所述第一传导元件和所述第二传导元件的所述顶表面之间。所述传导纳米粒子具有的长度尺寸是小于100纳米。所述方法亦可包含至少在所述经并置的第一传导元件和第二传导元件的界面处提高温度到一结合温度,在所述结合温度时所述传导纳米粒子可造成冶金结合形成于所述经并置的第一传导元件和第二传导元件之间。
  • 阵列基板及显示装置-202280000275.8
  • 秦建伟;高亮;张冰;吕超忍;孙一丁;查黄飞 - 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方瑞晟科技有限公司
  • 2022-02-24 - 2023-10-27 - H01L23/498
  • 本申请提供一种阵列基板及显示装置。所述阵列基板包括衬底、位于所述衬底上的第一绝缘层、位于所述第一绝缘层上的第一导电层、位于所述第一导电层上的第二绝缘层和位于所述第一导电层上的电子元件。所述第一绝缘层设有多个第一开孔。所述第一导电层包括多个焊盘,每一所述焊盘至少部分位于所述第一开孔内。所述第二绝缘层设有第二开孔,每一所述第一开孔在所述衬底上的正投影落在所述第二开孔在所述衬底上的正投影内。所述电子元件包括电子元件本体及位于所述电子元件本体朝向所述衬底一侧的多个引脚,所述引脚至少部分位于所述第一开孔和所述第二开孔内,且与所述焊盘焊接。所述显示装置包括所述阵列基板。
  • 半导体装置-202310259408.X
  • 小平悦宏;关野裕介;伊藤太一 - 富士电机株式会社
  • 2023-03-10 - 2023-10-27 - H01L23/498
  • 本发明提供抑制并联连接的多个半导体芯片的电流不平衡的半导体装置。布线板在短边侧具备输出部分,在短边侧具备与半导体芯片的输出电极电连接的纵向连接部分及横向连接部分。此时,纵向连接部分从输出部分侧的端部沿着长边形成有狭缝。由此,从配置于距端子接合区最近的位置的半导体芯片输出的电流经由纵向连接部分和横向连接部分直到到达布线板的输出部分为止。该电流路径与从配置于距端子接合区最远的位置的半导体芯片输出的电流到达布线板的输出部分为止的电流路径之差变小。
  • 用于层状材料的接触层-202310463457.5
  • C·萨高;S·邵林;M·马天尼;Y·李;K·尼尔施;V·维诺库尔;N·庞西亚 - 特拉量子股份公司
  • 2023-04-26 - 2023-10-27 - H01L23/498
  • 本公开涉及用于层状材料的接触层。一种电子器件,包括衬底、布置在该衬底上的第一层状材料的第一层、布置在该衬底上的第二层状材料的第二层、重叠区域、以及接触层。在该重叠区域中,该第二层布置在该第一层上,并且该第二层的底表面的区段平行于该第一层的顶表面的区段。该接触层布置在该第一层和第二层上。该接触层包括电绝缘元件和多根导电线。该多根导电线包括第一导电线和第二导电线。该第一导电线和/或该第二导电线包括超导材料。该电绝缘元件布置在这些导电线之间以使它们彼此电绝缘。该电子器件还包括:在该第一导电线与该第一层之间的第一电触点;以及在该第二导电线与该第二层之间的第二电触点。
  • 焊盘结构和电子器件-202211625257.7
  • 吕慧瑜;罗杰馨;柴展 - 上海功成半导体科技有限公司
  • 2022-12-16 - 2023-10-27 - H01L23/498
  • 本申请的实施例提出了一种焊盘结构和电子器件。焊盘结构包括衬底、第一绝缘膜层、BPSG绝缘膜、阻隔层、金属电极和打线,第一绝缘膜层设置衬底的一侧;BPSG绝缘膜设置在第一绝缘膜层远离衬底的一侧,BPSG绝缘膜上形成有槽结构,槽结构贯穿BPSG绝缘膜;一部分阻隔层设置在BPSG绝缘膜远离衬底的一侧,另外一部分阻隔层设置在槽结构内并与第一绝缘膜层贴合;金属电极设置在阻隔层远离衬底的一侧,打线设置在金属电极远离衬底的一侧。根据本申请实施例中的焊盘结构,其在BPSG绝缘膜上形成多个槽结构,如此,能够减少BPSG绝缘膜与阻隔层的接触面积,并以此减少金属电极从第一绝缘膜层剥离的风险,提高焊盘结构的可靠性。
  • 一种功率半导体模块-202211405522.0
  • 魏晓光;唐新灵;林仲康;王亮;代安琪;杜玉杰;石浩;韩荣刚;周扬;王磊;孙帅 - 北京智慧能源研究院
  • 2022-11-10 - 2023-10-27 - H01L23/498
  • 本发明公开了一种功率半导体模块,包括:栅极PCB板和多个并联的子模组,每个子模组包括半导体芯片和栅极引出端,栅极PCB板包括驱动连接单元,栅极引出端的一端连接半导体芯片的栅极;栅极PCB板上设置有多个与栅极引出端的另一端电连接的栅极触点,多个栅极触点通过多个第一布线层与驱动连接单元连接,流经多个第一布线层的电流路径一致。通过实施本发明,使得驱动端至各栅极触点的电流路径一致,实现了栅极寄生参数均衡化,从而有效提升了模块内部并联模组间电流的均流能力,提升了模块整体的安全工作区。并且均流能力的提升,能够在增加并联子模组的同时,提升其安全可靠性。
  • 半导体装置及其制造方法-201811442394.0
  • 清水晓人;新德恭久;井守义久;岸博明;细川淳;今田知彦;岛村伸也 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2018-11-29 - 2023-10-27 - H01L23/498
  • 实施方式涉及半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备半导体芯片、配置在上述半导体芯片的周围的多个连接端子、包括将上述半导体芯片与上述多个连接端子电连接的多个布线在内的基座部件、以及填充在配置于上述基座部件上的上述半导体芯片与上述多个连接端子之间的树脂部件。上述树脂部件具有第1面、第2面和侧面,上述第1面与上述半导体芯片的和上述基座部件接触的面相连,上述第2面位于上述第1面的相反侧,上述侧面与上述第1面及上述第2面相连。上述多个连接端子位于上述树脂部件中,包含在上述第1面或上述第2面露出的第1接触面、和与上述第1接触面相连且在上述侧面露出的第2接触面。
  • 半导体封装件-201910358470.8
  • 金炳镐;崔在薰;崔朱伶 - 三星电子株式会社
  • 2019-04-30 - 2023-10-27 - H01L23/498
  • 本发明提供一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:连接构件,具有彼此背对的第一表面和第二表面,并包括至少一个绝缘层和重新分布层,所述重新分布层包括贯穿所述绝缘层的过孔和连接到所述过孔并位于所述绝缘层的上表面上的RDL图案;半导体芯片,设置在所述第一表面上,并包括连接到所述重新分布层的连接焊盘;以及包封剂,设置在所述第一表面上并包封所述半导体芯片。所述重新分布层包括设置在所述绝缘层的表面上的种子层和设置在所述种子层上的镀层。所述绝缘层和所述种子层的构成所述过孔的部分之间的界面包括第一凹凸表面,所述第一凹凸表面具有30nm或更大的表面粗糙度。
  • 功率模块-202320283677.5
  • 林曦 - 美垦半导体技术有限公司
  • 2023-02-21 - 2023-10-27 - H01L23/498
  • 本实用新型公开了一种功率模块,所述功率模块,包括:基板,所述基板设有第一导电线路;芯片,所述芯片设于所述基板且与所述第一导电线路焊接连接;绝缘层,所述绝缘层覆盖所述芯片和所述基板,所述绝缘层设有朝向所述芯片延伸的第一走线通道;第二导电线路,所述第二导电线路位于所述绝缘层的背离所述第一导电线路的一侧,所述第二导电线路通过填充于所述第一走线通道的第一导电金属件与所述芯片电连接。本申请提出的功率模块通过第二导电线路和第一导电金属件代替相关技术中的键合铝线,有效降低系统寄生电感。
  • 一种高密度IC封装载板-202310951854.7
  • 王桂;胡良峰;周维 - 江西天佑半导体有限公司
  • 2023-07-31 - 2023-10-24 - H01L23/498
  • 本发明公开了一种高密度IC封装载板,包括基板和导电铜层,在所述基板上阵列分布有若干个封装单元,每个封装单元的正面由多个独立、隔断的导电铜层形成对应数量的导电板功能区,在基板上每个封装单元的两侧设有多个通孔,所述通孔内设有侧铜壁,通孔的数量与导电板功能区数量一致,并且每个导电板功能区的导电铜层对应连接其中一个通孔侧铜壁,每个封装单元的背面设有与通孔一一对应的由导电铜层形成的引脚焊盘,且引脚焊盘的导电铜层与对应通孔侧铜壁连通,每个封装单元两侧的切割线与多个通孔的中心线重合。本发明的IC封装载板省去了引脚电镀、引脚折弯等工序,精简了封装流程,缩短了加工周期,提升了生产效率,节约了成本。
  • 半导体装置-202310398447.8
  • 清水康贵 - 三菱电机株式会社
  • 2023-04-14 - 2023-10-24 - H01L23/498
  • 得到能够提高制造性的半导体装置。第1电路图案(5)在俯视观察时具有凹部(7)。第2电路图案(6)配置于凹部(7)。多个半导体芯片(4)接合至第1电路图案(5)之上。导线(8)将多个半导体芯片(4)的上表面电极与第2电路图案(6)连接。第2电路图案(6)的宽度随着从电流在第2电路图案(6)中流动的电流路径的上游到下游而增大。第1电路图案(5)在俯视观察时在凹部(7)的侧方具有台阶(9),凹部(7)的宽度与第2电路图案(6)的宽度的增大相匹配地阶梯状增大。
  • 功率器件和电子设备-202310934544.4
  • 付云鹏;冯尹;张鹏;陈伟伟;陈永华;张磊路 - 珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司
  • 2023-07-27 - 2023-10-24 - H01L23/498
  • 本申请提供了一种功率器件和电子设备,该功率器件包括:碳化硅模块;驱动结构,位于碳化硅模块的一侧;转接结构,位于碳化硅模块和驱动结构之间,转接结构与碳化硅模块和驱动结构分别电连接,驱动结构通过转接结构驱动碳化硅模块。通过设置转接结构来连接驱动结构和碳化硅模块,这样无需针对碳化硅模块单独设计驱动结构,无需更改驱动结构的引脚位置与连接走线,就可以实现碳化硅与驱动结构的连接兼容,节约了驱动结构的设计与生产成本,保证了碳化硅模块可以快速应用于市场。
  • 半导体结构及其制造方法-202210544021.4
  • 高庆良;吴文杰;柯立苓 - 南亚科技股份有限公司
  • 2022-05-18 - 2023-10-24 - H01L23/498
  • 一种半导体结构的制造方法包括:在绝缘层上形成介电层;蚀刻绝缘层及介电层,使绝缘层及介电层中具有开口,其中绝缘层的内侧壁与底部以及介电层的内侧壁从开口中裸露;注入复数个掺杂物于绝缘层的内侧壁与底部以及介电层的内侧壁上;以及在开口中及介电层上形成半导体层,其中半导体层形成在绝缘层上的第一生长速率不同于半导体层形成在介电层上的第二生长速率。当半导体层形成在开口中时,半导体层将不具有长条状的缝隙,可改善半导体层漏电及效能不佳等问题,因此提高了半导体结构的整体效能。
  • 用于优化信号路由的管芯基板-202210347787.3
  • 延双虎;蔡晓茁;朱浩;易定海;李华明 - 辉达公司
  • 2022-04-01 - 2023-10-24 - H01L23/498
  • 公开了用于优化信号路由的管芯基板。一种管芯基板,包括:电介质本体,所述本体具有第一本体表面、位于相对侧上的第二本体表面以及位于其间的本体边缘表面。载流金属线,其位于电介质本体中。金属线中的一个或更多个被路由到本体边缘表面的一个或更多个。终止层,其位于至少一个本体边缘表面上并电连接至被路由到所述本体边缘表面的所述金属线中的至少一个。导电镀层,其位于至少一个本体边缘表面上。该镀层连接至终止层,用于电流连接或接地连接到至少一个金属线。还公开了一种制造集成电路封装的方法、集成电路封装以及一种具有管芯基板的计算机。
  • 一种光电耦合器支架结构-202321130211.8
  • 黄春阳;黄剑峰 - 深圳市固芯科技有限公司
  • 2023-05-11 - 2023-10-24 - H01L23/498
  • 本实用新型公开了一种光电耦合器支架结构,属于光电耦合器技术领域。本实用新型在母支架片上设置相对并相互交错的若干芯片支架,芯片支架包括发光芯片支架、感光芯片支架中的一种或两种,母支架片两边设有连接板,且连接板上设有定位部。本实用新型根据发光芯片支架与感光芯片支架的结构布局,进而根据最优原则将发光芯片支架与感光芯片支架布置在同一母支架片上,或者单独将发光芯片支架、感光芯片支架分别单独布置在一母支架片上,再交错结合,以便充分利用材料,减少生产成本。同时在子发光芯片支架片、子感光芯片支架片上设置定位部,有效解决感光芯片支架与发光芯片支架结合时容易错位的问题,提高生产效率。
  • 半导体器件组件-202310396606.0
  • 林承园;全五燮 - 半导体元件工业有限责任公司
  • 2023-04-12 - 2023-10-20 - H01L23/498
  • 在一些方面中,本文中所描述的技术涉及一种半导体器件组件,其包括:直接接合金属(DBM)衬底,其包括:陶瓷层;第一金属层,该第一金属层设置在该DBM衬底的第一表面上,该第一金属层具有均匀的厚度;以及第二金属层,该第二金属层设置在该DBM衬底的与第一表面相对的第二表面上,该第二金属层包括:具有第一厚度的第一部分;以及具有第二厚度的第二部分,第二厚度大于第一厚度,该第二金属层的第二部分包括热膨胀系数(CTE)在7至11百万分率每摄氏度(ppm/℃)范围内的金属合金;以及半导体管芯,该半导体管芯具有与第二金属层的第二部分耦接的第一表面。
  • 封装件基板及其制造方法-201811011785.7
  • 金相勳;吴隆;高永国;金圭默 - 三星电机株式会社
  • 2018-08-31 - 2023-10-20 - H01L23/498
  • 本公开的实施例提供一种封装件基板及其制造方法,所述封装件基板包括:支撑部件,具有位于彼此相反的位置的第一面及第二面,并包括连接所述第一面及第二面的腔室,并包括具有至少从所述第一面突出的部分的布线结构;平坦化层,布置于所述支撑部件的第一面,并具有与所述布线结构的突出的部分的表面实质上平坦的共面;导电迹线,布置在所述平坦化层上而与所述布线结构连接,且具有位于与所述腔室重叠的区域的接触部分;连接部件,以覆盖所述导电迹线的方式布置于所述支撑部件的第一面,并具有与所述导电迹线连接的再布线层。
  • 半导体芯片-201711119538.4
  • 秦正起;李来寅;朴点龙;千镇豪;孙成旻;李镐珍 - 三星电子株式会社
  • 2017-11-14 - 2023-10-20 - H01L23/498
  • 一种半导体芯片包括:半导体衬底,包括其中配置有凸块的凸块区及不包括凸块的非凸块区;以及钝化层,形成在所述半导体衬底的所述凸块区及所述非凸块区上,其中所述凸块区中所述钝化层的厚度厚于所述非凸块区中所述钝化层的厚度,且在所述凸块区与所述非凸块区之间具有台阶。所述半导体芯片具有提高的可靠性。
  • 一种功率模块的衬底结构-202321220380.0
  • 冉力元 - 臻驱科技(上海)有限公司
  • 2023-05-19 - 2023-10-20 - H01L23/498
  • 本实用新型提供了一种功率模块的衬底结构,涉及功率模块技术领域,包括底板,底板上设有导电铜层;导电铜层上通过沟槽分隔成第一连接区、第二连接区、第一布置区及第二布置区;第一布置区和第二布置区位于第一连接区和第二连接区之间;第一布置区和第二布置区均布置有多个第一功率芯片以连通第一连接区和第二连接区;第二布置区还设有具有温度传感器和电流传感器的第二功率芯片;在第二功率芯片和与其相邻的第一功率芯片之间设置传感器端子和铝线焊接点区,使得第二功率芯片上的门级电路接点连接至第二连接区,温度传感器和电流传感器连接至传感器端子和铝线焊接点区,解决现有衬底需要设置额外的区域布置温度传感器,占用空间大的问题。
  • 半导体封装件-202310081192.2
  • 金钟润 - 三星电子株式会社
  • 2023-02-08 - 2023-10-17 - H01L23/498
  • 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括:第一再分布基板;半导体芯片,所述半导体芯片设置在所述第一再布线基板上;模制层,所述模制层设置在所述第一再分布基板和所述半导体芯片上;以及第二再分布基板,所述第二再分布基板设置在所述模制层上。所述第二再分布基板包括:多个再分布图案,所述多个再分布图案彼此间隔开;第一虚设导电图案,所述第一虚设导电图案与所述多个再分布图案间隔开;绝缘层,所述绝缘层设置在所述第一虚设导电图案上;以及标记金属层,所述标记金属层设置在所述绝缘层上并且与所述第一虚设导电图案间隔开。所述标记金属层的侧壁沿着与所述第一再分布基板的上表面垂直的垂直方向与所述第一虚设导电图案交叠。
  • 半导体装置以及半导体装置制造方法-202310304558.8
  • 田中孝一 - 三菱电机株式会社
  • 2023-03-27 - 2023-10-17 - H01L23/498
  • 本发明涉及半导体装置以及半导体装置制造方法,其目的在于通过不使微小的金属粉飞散地使配线图案与端子电极接合,从而提供可靠性高的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体制造装置构成为具有:绝缘基板,其在表层具有配线图案;以及端子电极,其具有袋状的内部空间,该内部空间具有端子电极前端部开口,端子电极通过与配线图案嵌合而以自行立起的状态接地。另外,本发明的半导体装置制造方法中的半导体装置具有上述绝缘基板以及端子电极,该制造方法构成为具有:固定处理,将端子电极在与配线图案啮合的位置进行位置固定;以及塑性变形处理,使端子电极膨胀,直到通过与配线图案嵌合而以自行立起的状态接地。
  • 半导体芯片架构及其制造方法-202310369604.2
  • 咸富铉;洪炳鹤;郑明勋;洪元赫;李昇映;徐康一 - 三星电子株式会社
  • 2023-04-07 - 2023-10-17 - H01L23/498
  • 提供一种半导体芯片架构及其制造方法,该半导体芯片架构包括:晶片;在晶片的第一侧上的工艺线前端(FEOL)层,该FEOL层包括在晶片的第一侧上的半导体器件、在晶片中的浅沟槽隔离(STI)结构以及在半导体器件和晶片上的层间电介质(ILD)结构;提供在FEOL层上的工艺线中段(MOL)层,该MOL层包括接触和连接到该接触的通路;绝缘层,在晶片的第一侧上并在水平方向上与通路相邻;以及电源轨,从晶片的与第一侧相对的第二侧穿透晶片,其中通路在垂直方向上延伸穿过ILD结构、STI结构和晶片以接触电源轨。
  • 功率器件的制作方法及功率器件-202310977315.0
  • 蔡育玲 - 蔡育玲
  • 2023-08-04 - 2023-10-17 - H01L23/498
  • 本申请公开了一种功率器件的制作方法及功率器件,方法包括:提供一覆铜板,覆铜板上形成有第一引脚焊盘、第二引脚焊盘、第三引脚焊盘、第一芯片焊盘、第二芯片焊盘、第三芯片焊盘、第一线路和第二线路,第一线路将第一芯片焊盘和第二芯片焊盘与第一引脚焊盘连接,第二线路将第三芯片焊盘与第三引脚焊盘连接;通过倒装焊工艺将二极管芯片焊接在第一芯片焊盘;通过倒装焊工艺将IGBT芯片焊接在第二芯片焊盘和第三芯片焊盘;将引线框架的第一引脚、第二引脚和第三引脚焊接在第一引脚焊盘、第二引脚焊盘和第三引脚焊盘;将铜焊片焊接在二极管芯片、IGBT芯片和第二引脚。本申请中芯片与引脚之间无需通过铝线键合的方式进行连接。
  • 一种半导体封装-202180093671.5
  • 勝又章夫;佘飞;田清山 - 华为技术有限公司
  • 2021-04-20 - 2023-10-17 - H01L23/498
  • 提供了一种能够有效地回收流经半导体芯片的电流产生的热量并抑制半导体芯片的温升的半导体封装。本申请涉及的所述半导体封装包括:衬底;半导体芯片,安装在所述衬底上,并在所述半导体芯片与所述衬底相对的表面上具有多个第一导电区;多个彼此分离的第一重分布层;第一绝缘层,设置在所述第一重分布层上,并且具有用于暴露所述第一重分布层的至少一部分的开口;以及散热器,覆盖所述第一重分布层和所述第一绝缘层。
  • 一种半导体结构、封装结构及半导体结构的制备方法-202310966080.5
  • 熊文涛 - 长鑫科技集团股份有限公司
  • 2023-07-31 - 2023-10-13 - H01L23/498
  • 本公开实施例提供了一种半导体结构、封装结构及半导体结构的制备方法,其中,所述半导体结构包括:基板以及位于基板上的第一导电图案,基板设置有通孔结构,其侧壁上覆盖有第二导电图案,第一导电图案至少包括第一子图案,第一子图案与第二导电图案连接;介质层,介质层包含第一子部和第二子部,第一子部填充部分通孔结构,第二子部覆盖基板的表面并暴露出通孔结构及第一子图案所在的区域;第三导电图案,第三导电图案填充通孔结构未被第二导电图案及介质层填充的空隙,并覆盖第一子图案的表面。
  • 一种叠层基板的双面散热功率模块-201710764613.6
  • 滕鹤松;徐文辉;王玉林 - 扬州国扬电子有限公司
  • 2017-08-30 - 2023-10-13 - H01L23/498
  • 本发明公开了一种叠层基板的双面散热功率模块,包括正极功率端子、负极功率端子和输出功率端子,正极功率端子和负极功率端子各连接一个外侧金属绝缘基板,两个外侧金属绝缘基板叠层设置,与正极功率端子相连的外侧金属绝缘基板上烧结有芯片;中间金属绝缘基板设置在与负极功率端子相连的外侧金属绝缘基板上。本发明通过将两个外侧金属绝缘叠层设置,并结合中间绝缘基板,搭配功率模块内部的金属层、金属块烧结设计,减小了换流回路面积,大大降低了模块的寄生电感;并且正极、负极功率端子叠层设置容易与外部母排连接;具有极低的引线电阻,尽量增大了金属层面积,有效降低了模块的引线电阻,达到了大幅降低寄生电感的目的。
  • 一种封装体和封装方法-202310801605.X
  • 张伟宏;罗树荣 - 宝纳生(深圳)科技有限公司
  • 2023-06-30 - 2023-10-10 - H01L23/498
  • 本发明公开了一种封装体和封装方法,封装体包括PCB芯片和补强板,PCN芯片包括超薄PCB板,超薄PCB板具有相对的第一表面与第二表面,第一表面形成有封装区,封装区堆叠有芯片以及适配芯片的外围阻容元件,补强板设于超薄PCB板的第一表面,补强板的中部挖空以形成与封装区位置对应的点胶槽。本发明根据芯片的性能需求选定外围阻容元件,并将芯片和外围阻容元件封装于超薄PCB板上,可最大化发挥芯片的性能,同时有效降低与芯片相关的电磁干扰噪声,通过补强板能够保护芯片和外围元件免受物理振动等因素的影响,从而保证了芯片的稳定性和长期可靠性,补强板设置有点胶槽能够对芯片和外围元件进行精确的定位和保护,有效防止其受到外部环境的侵害。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top