[发明专利]一种PERC电池的加工方法在审
| 申请号： | 201910916276.7 | 申请日： | 2019-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN110752271A | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | 邵玉林;陶俊;张三洋 | 申请（专利权）人： | 无锡琨圣科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/02;H01L21/306 |
| 代理公司： | 11350 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 214000 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种PERC电池的加工方法，包括背蚀刻工艺，背蚀刻工艺包括以下步骤S1：预处理，通过采用KOH和H2O2预清洗去除硅片表面脏污；S2：漂洗，采用纯水对硅片进行漂洗；S3：碱背抛，采用强碱和碱背抛添加剂，碱背抛添加剂能够进一步抑制KOH和正面PSG反应，加速KOH与背面硅进行刻蚀；S4：后清洗，清洗添加剂残留；S5：酸洗，采用HF和HCL的混合溶液进行清洗；S6：漂洗，采用纯水对硅片进行漂洗；S7：慢提拉，慢提拉水温设置为60～90度；S8：烘干，对硅片进行烘干。本发明具有以下优势：碱背抛成本低，无氮排放，且能进一步提升电池效率，将热氧和磷硅玻璃PSG清洗整合在一起。简化了碱背抛工艺流程，减少了操作人员数量，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 漂洗 硅片 清洗 蚀刻工艺 烘干 提拉 添加剂 预处理 强碱 清洗添加剂 电池效率 硅片表面 混合溶液 磷硅玻璃 水温设置 工艺流程 氮排放 预清洗 刻蚀 去除 热氧 酸洗 脏污 整合 生产成本 背面 残留 电池 加工 | ||
【主权项】：
1.一种PERC电池的加工方法，其特征在于，包括背蚀刻工艺，背蚀刻工艺包括以下步骤：/nS1：预处理，通过采用KOH和H
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡琨圣科技有限公司，未经无锡琨圣科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910916276.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
