[发明专利]N型漏极延伸金属氧化物半导体及其制作方法在审
| 申请号： | 201910902288.4 | 申请日： | 2019-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN112635558A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 林威 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;林嵩 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种N型漏极延伸金属氧化物半导体及其制作方法，所述N型漏极延伸金属氧化物半导体包括：半导体衬底、P阱区、N型漂移区、栅极、两个半导体侧壁、N型源极区、N型漏极区，当所述N型漏极延伸金属氧化物半导体通电时，所述N型漂移区与所述半导体侧壁之间形成耦合电容，本发明实现当N型漏极延伸金属氧化物半导体通电时，N型漂移区与多晶硅侧壁之间形成耦合电容，该耦合电容能够有效地抑制热载流子聚集在N型漂移区的表面的情况，从而影响了电流分布，改善了电场强度，延长了热载流子寿命，提高了半导体的击穿电压，进而提升了N型漏极延伸金属氧化物半导体的使用性能及可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 型漏极 延伸 金属 氧化物 半导体 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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