[发明专利]一种多层级高效率的存储系统可复用设计方法有效

专利信息
申请号: 201910864145.9 申请日: 2019-09-12
公开(公告)号: CN110717308B 公开(公告)日: 2022-11-15
发明(设计)人: 王彦辉;郑浩;胡晋;李川;张弓;李滔;王玲秋 申请(专利权)人: 无锡江南计算技术研究所
主分类号: G06F30/392 分类号: G06F30/392
代理公司: 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 代理人: 裴金华
地址: 214100 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种多层级高效率的存储系统可复用设计方法,涉及存储设计技术领域,该方法包括以下步骤:S1:根据ASIC电路访存需求统计,评估存储系统可复用的设计规模;S2:判断是否为芯片研发阶段,若是则将芯片存储部进行对称布局;反之执行S3;S3:判断是否为封装设计阶段,若是则将封装存储部进行对称布局;反之执行S4;S4:判断是否为系统设计阶段,若是则将系统存储部进行对称布局;反之执行S5;S5:通知设计者对ASIC电路进行手动象限布局。本发明一种多层级高效率的存储系统可复用设计方法通过芯片、封装和系统多层级的模块化可复用设计,从多个层级扩大可复用设计范围并统一加速总体设计进度,同时有利于减小未来对SI/PI后仿真分析的需求。
搜索关键词: 一种 多层 高效率 存储系统 可复用 设计 方法
【主权项】:
1.一种多层级高效率的存储系统可复用设计方法,其特征在于,包括以下步骤:/nS1:根据ASIC电路访存需求统计,评估存储系统可复用的设计规模,并规划设计研发内容;/nS2:判断设计阶段是否为芯片研发阶段,若是,则将芯片存储部以ASIC正中心为坐标原点,以左上、左下、右上和右下为目标象限,按照水平中轴和垂直中轴进行对称布局,并同层拷贝电路设计内容;反之执行步骤S3;/nS3:判断设计阶段是否为封装设计阶段,若是,则将封装存储部以ASIC正中心为坐标原点,以左上、左下、右上和右下为目标象限,按照水平中轴和垂直中轴进行对称布局,并同层拷贝电路设计内容;反之执行步骤S4;/nS4:判断设计阶段是否为系统设计阶段,若是,则设计厚度方向对称的PCB叠层结构,将系统存储部以ASIC正中心为坐标原点,以左上、左下、右上和右下为目标象限,按照水平中轴、垂直中轴以及叠层中轴进行对称布局;反之执行步骤S5;/nS5:通知设计者对ASIC电路进行手动象限布局。/n
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