[发明专利]PN结增强的黑硅肖特基结红外探测器及其制备方法在审
申请号: | 201910858210.7 | 申请日: | 2019-09-11 |
公开(公告)号: | CN110718596A | 公开(公告)日: | 2020-01-21 |
发明(设计)人: | 胡斐;孙剑;陆明 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/103;H01L31/108;H01L31/11;H01L31/18 |
代理公司: | 31200 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人: | 陆飞;陆尤 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明属于光电探测器技术领域,具体为一种PN结增强的黑硅肖特基结红外探测器及其制备方法。本发明红外探测器其结构自上而下依次为前表面电极、前表面钝化层、前表面黑硅层、PN结、硅衬底、背表面黑硅层、肖特基结、背表面电极;该探测器利用黑硅的宽带(紫外‑近红外波段)、高效减反作用来提高红外光吸收率,利用黑硅和金属或金属硅化物间形成的三维肖特基结提高内光电子发射效率,利用PN结提高光生电荷的传输效率,从而提高红外光电响应。 | ||
搜索关键词: | 肖特基结 黑硅 红外探测器 背表面 黑硅层 前表面 红外光 吸收率 光电子发射效率 光电探测器 金属硅化物 近红外波段 前表面电极 传输效率 光生电荷 红外光电 钝化层 硅衬底 电极 探测器 宽带 制备 三维 金属 响应 | ||
【主权项】:
1.一种PN结增强的黑硅肖特基结红外探测器,其特征在于,其结构自上而下依次为前表面电极、前表面钝化层、前表面黑硅层、PN结、硅衬底、背表面黑硅层、肖特基结、背表面电极;其中,所述黑硅层的纳米孔直径为50~5000nm,深度为100~5000nm。/n
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- 成岩;黄荣;齐瑞娟 - 华东师范大学
- 2018-03-13 - 2020-01-07 - H01L31/0216
- 本发明公开了一种用于透射电镜原位通电芯片的拥有纳米级间距小电极的材料测试单元制备方法,其材料测试单元由小尺寸的金属层、绝缘层、测试材料和保护层构成,制备方法采用聚焦离子束(FIB)技术,通过刻蚀在SiO
- 一种高光电转化效率的太阳能电池-201910886639.7
- 王玉明;张杰;朱永生;杨宝海;李敦信 - 苏州拓升智能装备有限公司
- 2019-09-19 - 2020-01-03 - H01L31/0216
- 本发明公开了一种高光电转化效率的太阳能电池,包括从上至下依次层叠设置的上透明导电减反膜、P发射极、N型硅片基底、二氧化硅钝化层、掺杂多晶硅薄膜层及下透明导电减反膜,其中,所述上透明导电减反膜的上表面及下透明导电减反膜的下表面分别设有上电极及下电极。根据本发明,其简化了硅体晶电池的制备流程,降低了制备温度,降低了二氧化硅钝化层在高温条件下被掺杂硅薄膜污染的风险,进而提高了电池制备良率。
- 一种带有热致变色镀膜层的光伏组件-201920723685.0
- 朱强忠;刘松民;朱琛;吕俊 - 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
- 2019-05-20 - 2020-01-03 - H01L31/0216
- 本申请公开了一种带有热致变色镀膜层的光伏组件,包括玻璃基板、太阳能电池片和涂覆于所述玻璃基板上的热致变色镀膜层,所述玻璃基板上的热致变色镀膜层覆盖所述太阳能电池片中的漏电流区域。本申请提供的技术方案,可在保证组件功率的前提下大幅降低组件热斑风险,不仅成本较低,而且较容易实现。
- 一种碲化镉发电玻璃-201920837464.6
- 邵伟明 - 浙江力晟玻璃科技有限公司
- 2019-06-05 - 2020-01-03 - H01L31/0216
- 本实用新型涉及太阳能电池领域,尤其涉及一种碲化镉发电玻璃,由下往上依次包括玻璃基板、透明氧化层、窗口层、吸收层及背接触电极;所述玻璃基板为厚度为2‑3mm的硼硅玻璃,所述透明氧化层为掺Sn的In
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的