[发明专利]PN结增强的黑硅肖特基结红外探测器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201910858210.7 申请日: 2019-09-11
公开(公告)号: CN110718596A 公开(公告)日: 2020-01-21
发明(设计)人: 胡斐;孙剑;陆明 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/103;H01L31/108;H01L31/11;H01L31/18
代理公司: 31200 上海正旦专利代理有限公司 代理人: 陆飞;陆尤
地址: 200433 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明属于光电探测器技术领域,具体为一种PN结增强的黑硅肖特基结红外探测器及其制备方法。本发明红外探测器其结构自上而下依次为前表面电极、前表面钝化层、前表面黑硅层、PN结、硅衬底、背表面黑硅层、肖特基结、背表面电极;该探测器利用黑硅的宽带(紫外‑近红外波段)、高效减反作用来提高红外光吸收率,利用黑硅和金属或金属硅化物间形成的三维肖特基结提高内光电子发射效率,利用PN结提高光生电荷的传输效率,从而提高红外光电响应。
搜索关键词: 肖特基结 黑硅 红外探测器 背表面 黑硅层 前表面 红外光 吸收率 光电子发射效率 光电探测器 金属硅化物 近红外波段 前表面电极 传输效率 光生电荷 红外光电 钝化层 硅衬底 电极 探测器 宽带 制备 三维 金属 响应
【主权项】:
1.一种PN结增强的黑硅肖特基结红外探测器,其特征在于,其结构自上而下依次为前表面电极、前表面钝化层、前表面黑硅层、PN结、硅衬底、背表面黑硅层、肖特基结、背表面电极;其中,所述黑硅层的纳米孔直径为50~5000nm,深度为100~5000nm。/n
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