[发明专利]钨沉积方法有效
| 申请号： | 201910659950.8 | 申请日： | 2019-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN110777351B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 尹元俊 | 申请（专利权）人： | 圆益IPS股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/14 | 分类号： | C23C16/14;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人： | 郑青松 |
| 地址： | 韩国京畿道平*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的钨沉积方法至少执行一次单位循环周期以沉积钨成核层，所述单位循环周期具有：吸附步骤，将第一工艺气体供应于基板上，以在所述基板上吸附所述第一工艺气体的至少一部分；第一吹扫步骤，将所述吹扫气体供应于所述基板上，吹扫未吸附于所述基板上的第一工艺气体；反应步骤，将含有钨的气体作为第二工艺气体供应于所述基板上，以在所述基板上形成单位沉积膜；第二吹扫步骤，将所述吹扫气体供应于所述基板上，以吹扫所述基板上的反应副产物；处理步骤，为了降低所述单位沉积膜中的杂质的浓度，将含有氢(H)元素的处理气体供应于所述基板上；以及第三吹扫步骤，将吹扫气体供应于所述基板上，以吹扫所述基板上的处理气体。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 方法 | ||
【主权项】：
1.一种钨沉积方法，其特征在于，/n至少执行一次单位循环周期以沉积钨成核层；/n其中，所述单位循环周期具有：/n吸附步骤，将第一工艺气体供应于基板上，以在所述基板上吸附所述第一工艺气体的至少一部分；/n第一吹扫步骤，将吹扫气体供应于所述基板上，吹扫未吸附于所述基板上的第一工艺气体；/n反应步骤，将含有钨的气体作为第二工艺气体供应于所述基板上，以在所述基板上形成单位沉积膜；/n第二吹扫步骤，将所述吹扫气体供应于所述基板上，以吹扫所述基板上的反应副产物；/n处理步骤，为了降低所述单位沉积膜中的杂质的浓度，将含有氢(H)元素的处理气体供应于所述基板上；以及/n第三吹扫步骤，将吹扫气体供应于所述基板上，以吹扫所述基板上的处理气体。/n
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- 本发明提供了一种聚变装置中原位制备钨膜的方法，包括：将聚变装置内部的腔室加热至预设温度，并向所述腔室中通入预设比例的氢气和钨源；设定射频电源的功率和直流电源的电流，利用射频辉光放电和直流辉光放电产生的等离子体提供能量，使氢气和六氟化钨发生化学反应生成钨，即可在所述聚变装置腔室内壁表面原位沉积钨膜。本发明利用射频与直流结合的等离子体辅助化学气相沉积镀膜法在聚变装置内部镀钨，实现了低温原位的整体钨膜制备，简化了操作步骤，且本方法制备的钨膜能够一次性完全覆盖腔室内部，获得的钨膜更加均匀、完整。
- 金属薄膜的制备方法及金属薄膜结构-202010062242.9
- 蔡康;李昭;许闵壹;彭浩;刘红;叶微 - 长江存储科技有限责任公司
- 2020-01-20 - 2021-12-03 - C23C16/14
- 本申请公开了一种金属薄膜的制备方法及金属薄膜结构。该金属薄膜的制备方法包括：在晶片上形成粘附层，晶片位于腔室内；以及向腔室中通入第一前驱体和第二前驱体，以在粘附层的表面上形成金属薄膜，其中，在通入第一前驱体和第二前驱体之前，对粘附层的表面进行预处理，以提高表面的组分均一性，从而调整金属薄膜的反射率。该金属薄膜的制备方法通过对粘附层表面进行预处理，使得金属薄膜的反射率可控，有利于改善金属薄膜反射率的均匀性和一致性，从而有利于金属薄膜的工业化批量生产。
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
