[发明专利]一种高体积分数碳化硅纳米线增强陶瓷基复合材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201910585220.8 | 申请日： | 2019-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN110304931A | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 杨金山;阮景;董绍明;张翔宇;丁玉生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/80 | 分类号： | C04B35/80;C04B35/573;C04B35/622;C04B35/626 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高体积分数碳化硅纳米线增强陶瓷基复合材料及其制备方法，所述制备方法包括：（1）将碳化硅纳米线和分散剂分散于溶剂中，得到碳化硅纳米线悬浮液；（2）将所得碳化硅纳米线悬浮液经抽滤后，得到碳化硅纳米线预制体；（3）采用化学气相沉积工艺或化学气相渗透工艺对所得碳化硅纳米线预制体进行界面修饰；（4）采用化学气相渗透工艺和有机前驱体浸渍裂解工艺中至少一种对所得碳化硅纳米线预制体进行致密化处理，得到所述高体积分数碳化硅纳米线增强陶瓷基复合材料。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅纳米线 陶瓷基复合材料 高体积分数 预制体 制备 化学气相渗透 悬浮液 化学气相沉积 浸渍裂解工艺 有机前驱体 致密化处理 界面修饰 分散剂 抽滤 溶剂 | ||
【主权项】：
1.一种高体积分数碳化硅纳米线增强陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于，包括：（1）将碳化硅纳米线和分散剂分散于溶剂中，得到碳化硅纳米线悬浮液；（2）将所得碳化硅纳米线悬浮液经抽滤后，得到碳化硅纳米线预制体；（3）采用化学气相沉积工艺或化学气相渗透工艺对所得碳化硅纳米线预制体进行界面修饰；（4）采用化学气相渗透工艺和有机前驱体浸渍裂解工艺中至少一种对所得碳化硅纳米线预制体进行致密化处理，得到所述高体积分数碳化硅纳米线增强陶瓷基复合材料。
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