[发明专利]半导体存储装置在审

专利信息
申请号: 201910580325.4 申请日: 2019-06-28
公开(公告)号: CN111326196A 公开(公告)日: 2020-06-23
发明(设计)人: 渡边稔史;安彦尚文;酒向万里生 申请(专利权)人: 东芝存储器株式会社
主分类号: G11C16/08 分类号: G11C16/08;G11C16/04
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 杨林勳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的实施方式提供一种能够实现高速动作的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置(1)具备存储单元、连接在所述存储单元的字线、连接在所述存储单元的源极线及控制电路,所述控制电路构成为,对所述字线施加第1电压,在施加所述第1电压后,施加大于所述第1电压的第2电压,在施加所述第2电压后,施加大于所述第1电压且小于所述第2电压的第3电压,且对应于所述字线被施加所述第2电压的时刻而对所述源极线施加第4电压,在施加所述第4电压后,施加小于所述第4电压的第5电压。
搜索关键词: 半导体 存储 装置
【主权项】:
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