[发明专利]一种以旋转阳极靶材的制备方法在审

专利信息
申请号: 201910543326.1 申请日: 2019-06-21
公开(公告)号: CN111519146A 公开(公告)日: 2020-08-11
发明(设计)人: 徐信森;陈占洋;张飞;温春雨;左振皋 申请(专利权)人: 山东格美钨钼材料股份有限公司
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;B22F3/15
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 264211 山东省威海*** 国省代码: 山东;37
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种以旋转阳极靶材的制备方法,经过了选粉、压制、添粉、压制、烧结提纯、热等静压、整形、退火、机械加工、检验、动态平衡试验和上机试验。本发明中,钨铼‑TZM合金具有晶粒细小、组织均匀、杂质元素含量较低、高致密性、高强度等优异性能,且制得的旋转阳极靶具有产品合格率高、散热性好、抗热冲击性好、使用寿命长等优点,制备方法中通过热等静压工艺对钨铼‑TZM合金,尤其是通过选取合适的热等静压的处理温度和压力来对靶材加工,增加钨铼‑TZM合金靶材的连接强度和工件的密度,且TZM具有熔点高、强度大、弹性模量高、线膨胀系数小、蒸气压低、导电导热性好、抗蚀性强以及耐高温力学性能良好等特点,产品具有很好的实用性。
搜索关键词: 一种 旋转 阳极 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东格美钨钼材料股份有限公司,未经山东格美钨钼材料股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910543326.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 一种低钪铝钪合金靶材缺陷处理方法-202210714592.8
  • 蔡新志;童培云;朱刘 - 先导薄膜材料(广东)有限公司
  • 2022-06-22 - 2023-10-27 - C23C14/34
  • 本发明公开了一种低钪铝钪合金靶材缺陷处理方法,属于半导体材料技术领域,所述的低钪铝钪合金靶材缺陷处理方法,包括以下步骤:(1)将浇铸得到的铝钪合金靶坯进行热轧或锻造处理;(2)将步骤(1)热轧或锻造处理后的靶坯进行热处理;(3)将步骤(2)热处理后的靶坯进行C扫描缺陷,并标记缺陷类型和位置;(4)将靶坯有缺陷的位置根据缺陷类型进行选择热轧或锻造;(5)将步骤(4)热轧或锻造处理后的靶坯再次进行C扫描,将靶坯加工至成品。本发明通过在热轧或者再经过HIP处理之后,经过C扫描,确认缺陷,并标记缺陷类型和位置,针对靶坯有缺陷的位置根据缺陷类型进行选择热轧或锻造,能够有效的消除缺陷,提升靶坯的质量。
  • 溅射装置及使用其形成半导体结构的方法-202310720707.9
  • 王晋;黄峰;高晋文;郭佳惠 - 润芯感知科技(南昌)有限公司
  • 2023-06-19 - 2023-10-27 - C23C14/34
  • 一种溅射装置及使用其形成半导体结构的方法,所述溅射装置包括至少一个溅射腔室,且每个溅射腔室包括承载台和靶材结构。承载台被配置为承载待镀膜的基板,且可绕沿第一方向的旋转轴旋转,第一方向垂直于承载台配置为承载基板的主表面,其中承载台包括被配置为安装基板的基板安装区;靶材结构在第一方向上与承载台相对设置,且包括靶材溅射区,靶材溅射区是被配置为在溅射工艺中向位于承载台上的基板提供靶材粒子的区域,其中靶材溅射区与基板安装区在第一方向上交叠,且在平行于承载台的主表面的第二方向上延伸超出基板安装区的边缘。本公开实施例的溅射装置可提高溅射工艺在深孔侧壁镀膜的能力。
  • 成膜方法和成膜装置-202180093627.4
  • 中畑俊彦;桥本一义;山口晴正 - 株式会社爱发科
  • 2021-11-09 - 2023-10-24 - C23C14/34
  • 本发明提高覆膜的台阶覆盖性。本发明使用具有第一电极、第二电极、第一供电源、第二供电源、相位调节器的成膜装置。第一供电源包含:输出第一高频电力的第一高频电源,和在第一高频电源与第一电极之间连接的第一匹配电路器。第二供电源包含输出与第一高频电力周期相同且比第一高频电力低的第二高频电力的第二匹配电路器。从第二高频电源输出第二高频电力,并且操作相位调节器对第一高频电力的相位与第二高频电力的相位设置相位差θ。检测在第二高频电源的输出阻抗与第二高频电源所连接的负载侧阻抗匹配的状态下的、与相位差θ相应的第二高频电力的电压值Vpp和第一可变电容的电容值C1。组合相位差θ的规定范围中的电压值Vpp和电容值C1来选择。
  • 一种铝基合金靶材及其制备方法-202310959111.4
  • 张凤戈;岳万祥;魏铁峰;张欠男;孟晓亭;施政;张学华 - 苏州六九新材料科技有限公司
  • 2023-08-01 - 2023-10-20 - C23C14/34
  • 本申请涉及靶材技术领域,具体公开了一种铝基合金靶材及其制备方法。本申请提供的铝基合金靶材的制备方法包括以下步骤:首先将金属粉末装入模具中,在400‑520℃下进行真空脱气烧结,获得料坯,然后直接将所述料坯热挤压成型,获得铝基合金靶材;以金属粉末100at%计,所述金属粉末中包含60at%以上铝粉;余量选自铬粉、钛粉、硅粉、钨粉、钒粉、硼粉、钽粉、钇粉、铌粉、钼粉和锆粉中的一种或多种;本申请还提供了利用上述方法获得的铝基合金靶材。本申请提供的铝基合金靶材的制备方法设备成本低、工艺流程短,且获得的铝基合金靶材金相组织均匀、致密度高、综合力学性能优异。
  • 一种半导体用低氧粉末冶金钽靶的制备方法-202311046387.X
  • 姚力军;潘杰;黄洁文;廖培君;吴东青 - 宁波江丰电子材料股份有限公司
  • 2023-08-18 - 2023-10-20 - C23C14/34
  • 本发明提供一种半导体用低氧粉末冶金钽靶的制备方法,所述制备方法包括如下步骤:(1)将钽粉原料经脱氢处理后,进行氢气还原,得到低氧钽粉;所述低氧钽粉的氧含量≤300ppm;(2)所述低氧钽粉依次进行冷等静压处理、脱气处理和热等静压处理,得到半导体用低氧粉末冶金钽靶。本发明所述的制备方法操作简单,通过将钽粉原料进行氢气还原,控制钽粉中的氧含量≤300ppm,后续通过冷等静压处理、脱气处理和热等静压处理,解决了粉末冶金钽靶氧含量偏高的问题,具有大范围推广应用前景。
  • 真空溅射镀膜机台的晶圆传送方法及传送装置、存储介质-202311100788.9
  • 张小舟;胡彬彬;顾云;吴青山 - 上海华力微电子有限公司
  • 2023-08-29 - 2023-10-20 - C23C14/34
  • 本发明提供一种真空溅射镀膜机台的晶圆传送方法及传送装置、存储介质,晶圆传送方法应用于晶圆传送装置,晶圆传送装置包括机械手,机械手具有中心线;晶圆传送方法包括:控制机械手夹持第一晶圆和第二晶圆,并使第一晶圆和第二晶圆各自到机械手的中心线的距离相同,且第一晶圆和第二晶圆在平行中心线的方向上的位置不同;控制机械手驱使第一晶圆和第二晶圆均围绕中心线转动,并使第一晶圆和第二晶圆在平行中心线的方向上无交叠。本发明通过控制使机械手夹持的两片晶圆在平行机械手中心线的方向上无交叠,来避免其中一片晶圆的夹持结构掉落颗粒物到另一片晶圆的表面,以保证晶圆的洁净度。
  • 一种溅镀装置-202311032149.3
  • 段烨;吴泓均;张良煜;詹晓魁;姚敦斌;李秋慧;沈滟滟;谢琦;陈乐怡;朱沈甜;杨思彤 - 宁波工程学院
  • 2023-08-16 - 2023-10-20 - C23C14/34
  • 本发明公开了一种溅镀装置,包括:溅镀室,溅镀室两侧壁分别开设有进气口和出气口,溅镀室内设有升降组件,升降组件上设有平面移动组件,平面移动组件上设有轮台,轮台上设有多级阴极板,溅镀室内顶面设有多级阳极板,多级阴极板与多级阳极板之间形成溅镀区域,进气口朝向溅镀区域,多级阳极板外圈套设有表面电阻传感器;供气机构,供气机构包括溅镀控制系统和气体供给组件,气体供给组件与进气口连通,溅镀控制系统与气体供给组件电性连接;排气机构,排气机构包括预警系统和气体排出组件,气体排出组件与出气口连通,预警系统与气体排出组件电性连接,本发明能够减少能源消耗,提高工作效率,提高材料的均匀性,防止靶材中毒的发生。
  • 靶材以及黑化膜-202310365619.1
  • 户塚巡;下村恭平 - 大同特殊钢株式会社
  • 2023-04-07 - 2023-10-20 - C23C14/34
  • 本发明涉及一种溅射用靶材,具有由CuaNibCoc表示的组成,a以at%表示Cu的比率、b以at%表示Ni的比率、c以at%表示Co的比率,a+b+c=100、0.30≤a/(a+b+c)≤0.70、10≤b≤65、0.1≤c;以及一种黑化膜,由组成由(CuaNibCoc)100‑xOx表示的金属氧化物构成,a以at%表示Cu的比率、b以at%表示Ni的比率、c以at%表示Co的比率、x以at%表示O的比率,其特征在于,a+b+c=100、0.30≤a/(a+b+c)≤0.70、10≤b≤65、0.1≤c、30≤x≤50。
  • 旋转铝靶材及其制备方法-202310836114.9
  • 沈英华;白毅;马小红;郭永强;徐亚军;丁继鸿;邵新锋;李芳 - 新疆众和股份有限公司
  • 2023-07-10 - 2023-10-20 - C23C14/34
  • 本发明提供了一种旋转铝靶材及其制备方法,所述制备方法包括如下步骤:提供高纯铝铸锭;对所述高纯铝铸锭进行冷锻造处理,得到第一锻坯;对所述第一锻坯进行车削处理,得到第二锻坯;将所述第二锻坯在50℃~60℃温度下进行去应力退火处理1h~2h;对所述去应力退火后的第二锻坯进行穿孔挤压处理,得到第一铝管坯;其中,穿孔针的温度为350℃~450℃,挤压筒的温度为350℃~450℃,挤压速度为0.5m/s~1.5m/s;将所述第一铝管坯在280℃~320℃温度下进行再结晶退火处理3h~6h,得到旋转铝靶材。本发明的制备方法对原材料高纯铝铸锭的晶粒度要求较低,可以采用晶粒度较大的高纯铝铸锭制备得到内部无缺陷、组织致密、均匀性好、平均晶粒度<100μm的旋转铝靶材,能够满足客户法使用需求,适于工业化批量生产。
  • 一种紫外激光反射镜的制备方法及制备的紫外激光反射镜-202311167598.9
  • 任光裕 - 江苏天凯光电有限公司
  • 2023-09-12 - 2023-10-20 - C23C14/34
  • 本发明具体公开了一种紫外激光反射镜的制备方法及制备的紫外激光反射镜,该反射镜为铝基层通过调节处理液先浸润处理,再通过改性溅射料溅射处理,最后烧结改性,即可得到本发明的紫外激光反射镜。本发明产品的波长区域段反射率稳定性改进,以及耐酸腐、耐温性能的持久性提高,产品的性能得到协调;改性溅射料采用氧化锡粉末、磷酸缓冲溶液和柠檬酸钠之间调配,硝酸钇溶液、壳聚糖水溶液配合形成球磨改性液,采用球磨改性方式对氧化锡粉末调节改性,优化的改性溅射料配合烧结工艺,产品的性能得到进一步的改进。
  • 一种大功率半导体元器件的冷却板-202110475928.5
  • 林梅琴 - 三河同飞制冷股份有限公司
  • 2021-04-29 - 2023-10-20 - C23C14/34
  • 本发明公开了一种大功率半导体元器件的冷却板,其结构包括箱体、箱门、溅射机构、冷却装置,箱体与箱门铰链连接,溅射机构设于箱体内部上端,箱体内部底端设有冷却装置,当半导体元器件放入箱体内部的冷却装置上,关闭箱门运行机械,溅射机构对散热机构上的半导体元器件进行溅射镀膜,在镀膜过程中水管流道机构内的导流管会利用自身的铝制体,快速吸收冷却板机构的冷却板上板传输过来的热能,辅助导流管管道内的冷却液降低所吸收的热量,散热保护机构内的导流板机构也会进行吸收箱体内的冷空气,进行空气循环,同时进行散热冷却,防止镀膜过程中产生较高温度的热能,从而造成半导体元器件的损害。
  • 用于脉冲功率装置的颗粒压结式二极管阳极靶及制备方法-202111443685.3
  • 胡杨;孙江;蔡丹;张金海;孙剑锋;苏兆锋;赵博文 - 西北核技术研究所
  • 2021-11-30 - 2023-10-20 - C23C14/34
  • 本发明提出了一种用于脉冲功率装置的颗粒压结式二极管阳极靶及制备方法,克服了每次实验须更换整个阳极靶的限制,进而减小实验成本,提升阳极寿命。阳极靶包括由一种或多种靶材颗粒压结而成的成型靶;靶材颗粒的材料为钽、碳化钽、石墨、钨、碳化钨或铝,成型靶根据目标射线参数选取不同的靶材颗粒和放置组合进行压结;靶材颗粒直径为0.05~1mm,靶材颗粒之间的间隙<100μm;成型靶的厚度应至少为靶材颗粒直径的3~4倍。该阳极靶由靶材颗粒经机床压结和轧制成型,在具备长寿命的同时可根据二极管输出指标灵活调整靶物质组分,具有调节输出辐射场辐射品质的能力。
  • 一种镀膜机用隔离防护装置-202321331573.3
  • 沈强;刘海松;王秋平;韩秋城 - 浙江七星电子股份有限公司;浙江理工大学
  • 2023-05-29 - 2023-10-20 - C23C14/34
  • 本实用新型涉及镀膜加工技术领域,公开了一种镀膜机用隔离防护装置,包括镀膜箱体,所述镀膜箱体一侧壁上设置有靶材,与所述靶材相对一侧的镀膜箱体侧壁上固接有一固定块,所述固定块朝向靶材一侧的端面安装一电动伸缩杆,所述电动伸缩杆末端固接一基材安装组件,所述基材安装组件上安装有与靶材相对的基材,在所述基材安装组件正前方设置一块防护板,所述防护板中心开有通过孔,所述防护板外侧设有用于固定防护板的卡紧机构。本技术方案在基材安装组件上安装基材,基材与靶材相对应,在基材正前方设置有防护板,防护板上开设有与镀膜区域形状匹配的通过孔,靶材飞溅出的材料从通过孔进入到基材上,基材其他区域由于防护板存在,不会有材料溅射。
  • 遮挡装置-202320780064.2
  • 杨旭;杨佳刚;荣建明;许飞;高俊扬;屈亚哲 - 富联裕展科技(河南)有限公司
  • 2023-04-07 - 2023-10-20 - C23C14/34
  • 本申请提供一种遮挡装置,包括基座、多个遮挡件及多个压紧组件,基座设有开口,开口贯穿基座;多个遮挡件,沿第一方向间隔设于基座且相对于基座沿第二方向滑动设置;多组压紧组件沿第一方向间隔设置并与多个遮挡件一一对应,每个压紧组件均包括连接件、压紧件及弹性件,连接件滑动穿设于基座且连接件的一端设有限位部,弹性件套设于连接件且弹性件的两端分别弹性抵持基座和限位部,压紧件与连接件远离限位部的一端连接并抵接于对应的遮挡件。上述遮挡装置能够对多个遮挡件中的任意一个进行精准调节,使得多个遮挡件准确地遮挡开口需要遮挡的部分,以使开口未被遮挡的区域与工件的待镀膜位置相对应,提高了遮挡精度。
  • 一种用于溅射镀膜设备的夹具-202222928353.0
  • 洪楚洲 - 深圳市顺捷真空技术有限公司
  • 2022-11-03 - 2023-10-20 - C23C14/34
  • 本实用新型公开了一种用于溅射镀膜设备的夹具,包括箱体、夹持机构和调整机构,所述夹持机构设置于调整机构的上部,所述夹持机构中的固定板分别设置于调整机构顶部的两侧。本实用新型通过夹持机构的设置,具备可用于对不同尺寸的基材进行夹持,在保证利于更换夹头的同时,其保证大小不同的基材夹持的力相同紧固。利用固定板、螺纹杆和推板的配合,利于对不同尺寸的基材进行夹持,而利用弹簧、连接板、夹板和限位杆的配合方便对不同尺寸的基材始终保持所需的夹持力,经调整机构的设置,可有效的调整基材的方向,以便于进行镀膜工作,利用遮挡机构利于对观测位置进行遮挡防护,避免对其造成镀膜无法进行观测工作。
  • 一种具有上转换功能的氧化锌透明导电薄膜的制备方法-202310956150.9
  • 王延峰;徐国栋;徐子硕;郭亚雄;孟旭东;李俊杰;戴彬婷 - 河北北方学院
  • 2023-08-01 - 2023-10-17 - C23C14/34
  • 本发明提供了一种具有上转换功能的氧化锌透明导电薄膜的制备方法,该方法为以ErF3和YbF3共掺杂的ZnO陶瓷靶或者HoF3和NdF3共掺杂的ZnO陶瓷靶或者HoF3和YbF3共掺杂的ZnO陶瓷靶为溅射靶材,采用磁控溅射技术,在清洁的衬底材料沉积可见‑近红外光区透过能力优异且具有上转换能力和导电能力的ZnO透明导电薄膜。本发明利用分别掺入的两种镧系稀土元素的激活剂(Er3+、Ho3+)和敏化剂(Yb3+、Nd3+)的功能,将红外区域长波光转换为短波光的上转换原理,将无法被太阳电池吸收的低能长波光转换为可被电池吸收的高能短波光,提升太阳电池对近红外区域长波光的利用率。本发明制得的氧化锌透明导电薄膜不仅具有高可见‑近红外光区透过率和优良的导电能力,还具备上转换的独特功能。
  • 基板处理装置以及盖环组件-202310269159.2
  • 高桥政志;千叶淳 - 拉碧斯半导体株式会社
  • 2023-03-20 - 2023-10-17 - C23C14/34
  • 本发明提供一种盖环组件,能够抑制发尘源,减少颗粒在基板上的附着。暴露于内部空间的处理粒子来处理基板的基板处理装置用的盖环组件具有:环状平板,其具有与在基板的外侧面终止的外周下表面接触的内周上表面和位于内周上表面的周围的外周上表面;以及环状的盖环,其具有下部表面,该下部表面具有与环状平板的外周上表面接触的抵接面。在盖环,除了抵接面之外还设置有覆盖暴露于处理粒子的表面的热涂膜。
  • 一种用于平面阴极装置的升降式调整装置-202110837293.9
  • 匡国庆 - 镇江市德利克真空设备科技有限公司
  • 2021-07-23 - 2023-10-17 - C23C14/34
  • 本发明公开了一种用于平面阴极装置的升降式调整装置,包括平面阴极,包括调整底座,调整底座上部对称设有第一调整竖柱、第二调整竖柱,第一调整竖柱、第二调整竖柱侧部设有第一安装腔、第二安装腔。本发明启动高度电机,丝杆转动,丝杆上螺纹连接有丝块,带动丝块移动,继而实现丝块穿过第一调整竖柱与升降座移动,通过稳定竖柱上套设有稳定套块,提高了升降座移动的稳定性。
  • 一种锌镁靶材及其制备方法-202111050306.4
  • 黄宇彬;余飞;童培云;朱刘 - 先导薄膜材料(广东)有限公司
  • 2021-09-08 - 2023-10-17 - C23C14/34
  • 本发明涉及靶材技术领域,公开了一种锌镁靶材及其制备方法,其中,其制备方法包括以下步骤:将单质锌与单质镁投入真空熔炼炉内熔炼,融化后充分搅拌并保温,得到混合熔炼液;将混合熔炼液进行浇注,形成锌镁合金压料;将锌镁合金压料加热,加热后通过一号模具进行挤压,得到第一挤压料;依次采用二号模具、三号模具、···、N号模具进行挤压,得到靶材毛胚;对靶材毛坯进行机加工,得到锌镁靶材。采用本发明的制备方法制作的锌镁靶材,其内部物缺陷,致密度较高,平均晶粒小于200微米,采用此锌镁靶材进行溅射,均匀并细小的晶粒不仅有助于获得膜厚均匀统一的薄膜功能层,且可避免溅射过程中发生放电及点火现象。
  • 一种PVD镀膜设备-202321385160.3
  • 徐尔强;王武鹏;邱衍荣;叶清洪;王小海 - 福建金石能源有限公司
  • 2023-06-02 - 2023-10-17 - C23C14/34
  • 本实用新型提供一种PVD镀膜设备,包括入料腔、第一工艺腔、第二工艺腔室和出料腔,所述第一工艺腔和第二工艺腔之间设有隔离腔,所述隔离腔与所述第一工艺腔和第二工艺腔相连的两端分别设有隔离阀;当第一工艺腔或第二工艺腔需要破真空时,可以独立破真空无需所有腔室全部破真空,降低设备维护保养维护时间,提高设备利用率。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top