[发明专利]一种应用于单光子雪崩二极管的快速有源淬灭电路有效
| 申请号： | 201910528611.6 | 申请日： | 2019-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN110274697B | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 刘马良;刘秉政;黎雄政;胡进;朱樟明;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G01J11/00 | 分类号： | G01J11/00;H03K17/693 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 张捷 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于光电探测技术领域，具体涉及一种应用于单光子雪崩二极管的快速有源淬灭电路，包括单光子雪崩二极管SPAD和高压电压端HVDD，单光子雪崩二极管SPAD的阴极与高压电压端HVDD连接，用于产生雪崩电流脉冲；还包括：淬灭复位单元，与单光子雪崩二极管SPAD连接，用于淬灭并复位单光子雪崩二极管SPAD，并根据雪崩电流脉冲产生脉冲电压信号；电源单元VDD，用于为淬灭复位单元与提供电源。本发明具有淬灭和复位速度极快、结构简单的有益效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 光子 雪崩 二极管 快速 有源 电路 | ||
【主权项】：
1.一种应用于单光子雪崩二极管的快速有源淬灭电路，包括单光子雪崩二极管(SPAD)和高压电压端(HVDD)，所述单光子雪崩二极管(SPAD)的阴极与所述高压电压端(HVDD)连接，用于产生雪崩电流脉冲，其特征在于，还包括：淬灭复位单元，与单光子雪崩二极管(SPAD)连接，用于淬灭并复位单光子雪崩二极管(SPAD)，并根据雪崩电流脉冲产生脉冲电压信号；电源单元(VDD)，用于为所述淬灭复位单元与提供电源。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910528611.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
