[发明专利]亚波长垂直结构发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201910496743.5 | 申请日： | 2019-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN110176525B | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 王芙馨;刘鹏展 | 申请（专利权）人： | 苏州亮芯光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/38;H01L33/42;H01L33/00;H01L33/14 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 215211 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及照明、显示和光通信技术领域，尤其涉及一种亚波长垂直结构发光二极管及其制备方法。所述亚波长垂直结构发光二极管包括：导电衬底，具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；器件结构，包括外延堆叠层、第一电极和第二电极，所述外延堆叠层位于所述导电衬底的第一表面，所述第二电极位于所述导电衬底的第二表面；一透明绝缘层与所述第一电极均位于所述外延堆叠层表面，且所述透明绝缘层围绕所述第一电极外周设置；所述器件结构发出的光线自所述透明绝缘层射出，且所述外延堆叠层的厚度小于所述光线的波长。本发明有效抑制所述器件结构内部的波导模式，使得发光二极管的光电转换效率大幅度提升。 | ||
| 搜索关键词： | 波长 垂直 结构 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种亚波长垂直结构发光二极管，其特征在于，包括：导电衬底，具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；器件结构，包括外延堆叠层、第一电极和第二电极，所述外延堆叠层位于所述导电衬底的第一表面，所述第二电极位于所述导电衬底的第二表面；一透明绝缘层与所述第一电极均位于所述外延堆叠层表面，且所述透明绝缘层围绕所述第一电极外周设置；所述器件结构发出的光线自所述透明绝缘层射出，且所述外延堆叠层的厚度小于所述光线的波长。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州亮芯光电科技有限公司，未经苏州亮芯光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910496743.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
