[发明专利]吸收器及其制备方法在审
| 申请号： | 201910363113.0 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN110031925A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 蔡博渊;成龙;袁小聪 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00;G02F1/00 |
| 代理公司： | 深圳中细软知识产权代理有限公司 44528 | 代理人： | 安秀梅 |
| 地址： | 518061 广东省深圳市南山区南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及吸收器的技术领域，尤其涉及一种吸收器及其制备方法。该吸收器包括基板、第一金属层、相变材料层及第二金属层，第一金属层设置在基板上，相变材料层设置在第一金属层背离基板的一侧表面，第二金属层设置在相变材料层背离第一金属层的一侧表面上，第二金属层包括多个金属单元，多个金属单元间隔排布。该吸收器能够在相变材料层发生相变时改变在特定波长段的吸收率，以此实现吸收器的可调谐性，而不需要将超材料浸泡在液晶之中，从而简化了整个吸收器的结构，降低了生产成本。该制备方法，获得的吸收器精度好，不需要设置多个金属层，制备方便，生产成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 吸收器 第一金属层 相变材料层 制备 第二金属层 基板 金属单元 吸收率 背离 生产成本低 间隔排布 可调谐性 波长段 超材料 金属层 生产成本 浸泡 液晶 | ||
【主权项】：
1.一种吸收器，其特征在于，包括：基板；第一金属层，设置在所述基板上；相变材料层，设置在所述第一金属层背离所述基板的一侧表面上；及第二金属层，设置在所述相变材料层背离所述第一金属层的一侧表面上，所述第二金属层包括多个金属单元，多个所述金属单元间隔排布。
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