[发明专利]半导体器件以及用于制造其的方法在审
| 申请号： | 201910338648.2 | 申请日： | 2019-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN110718538A | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 金范庸 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 11363 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 许伟群;阮爱青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件以及用于制造其的方法。一种半导体层层叠体包括：第一导电层；包括高k材料的电介质层，其形成在第一导电层上；第二导电层，其形成在电介质层上；以及界面控制层，其被形成在电介质层与第二导电层之间，并且包括泄漏阻止材料、掺杂剂材料、高带隙材料和高功函数材料。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质层 第二导电层 第一导电层 半导体层层叠体 高功函数材料 半导体器件 掺杂剂材料 高带隙材料 界面控制层 阻止材料 高k材料 泄漏 申请 制造 | ||
【主权项】：
1.一种电容器，包括：/n底部电极；/n包括高k材料的电介质层，其形成在所述底部电极上；/n顶部电极，其形成在所述电介质层上；以及/n界面控制层，其形成在所述电介质层与所述顶部电极之间，并且包括泄漏阻止材料、掺杂剂材料、高带隙材料和高功函数材料。/n
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