[发明专利]一种消落带土质贫瘠区域植物种植结构及方法在审
| 申请号： | 201910314175.2 | 申请日： | 2019-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN109964718A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 杜春兰;李波;常贝;余晓雯 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | A01G17/00 | 分类号： | A01G17/00 |
| 代理公司： | 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 | 代理人： | 胡逸然 |
| 地址： | 400044 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种消落带土质贫瘠区域植物种植结构，包括设置在消落带区域的种植坑，种植坑内表面设有可降解的防渗层，防渗层上设有植土层，植土层中种植有耐水淹乔灌木树种。本发明还公开了实现上述消落带土质贫瘠区域植物种植结构的消落带土质贫瘠区域植物种植方法。本发明通过设置可降解的防渗层，在植物生长初期降低消落带土质贫瘠区枯水期的水分渗漏,起到良好的保水保肥作用,另外,在植物生长过程中防渗层逐渐降解变得柔软和具有一定的空隙率，使得植物根系生长一定时间后可以穿透防渗层继续生长,形成稳定的生长状态，防渗层最终能够自然降解，不会污染环境。本发明针对消落带区域严苛多变的土壤环境为植物的种植提供一个稳定的环境，实现消落带区域的植被修复进而解决水土流失带来的土壤贫瘠的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 消落带 防渗层 植物种植 土质 可降解 种植坑 土层 植物根系生长 植物生长过程 保水保肥 灌木树种 生长状态 水分渗漏 土壤环境 植被修复 自然降解 空隙率 内表面 降解 耐水 柔软 种植 穿透 水土流失 生长 土壤 | ||
【主权项】：
1.一种消落带土质贫瘠区域植物种植结构，其特征在于，包括设置在消落带区域的种植坑，种植坑内表面设有可降解的防渗层，防渗层上设有植土层，植土层中种植有植物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆大学，未经重庆大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910314175.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种滩涂地旱柳的种植方法
- 下一篇：一种用于南丰蜜橘的露骨更新改造方法
