[发明专利]原子腔结构及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201910202733.6 申请日: 2019-03-18
公开(公告)号: CN111717883A 公开(公告)日: 2020-09-29
发明(设计)人: 姜春宇;王逸群;张宝顺;翟豪 申请(专利权)人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: B81B7/02 分类号: B81B7/02;B81C1/00
代理公司: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 代理人: 孙伟峰
地址: 215123 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种原子腔结构,所述原子腔结构包括:基片,具有封闭的腔;至少三组反射结构,所述反射结构设置于所述腔的内壁上,所述反射结构至少用于对射入所述腔内的相应的第一光线进行反射,从而使所有的所述第一光线与射入所述腔内的第二光线在所述腔内正交后射出所述腔外。本发明还提供了上述原子腔结构的制作方法。本发明的原子腔结构可应用在原子核磁共振陀螺仪、原子磁强计等原子物理系统中。
搜索关键词: 原子 结构 及其 制作方法
【主权项】:
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  • 2023-06-02 - 2023-09-15 - B81B7/02
  • 本公开的实施例公开了一种MEMS加速度与压力集成传感器及其制备方法。包括:第一衬底,设置有空腔;设置于第一衬底的埋氧层、器件层和第一钝化层,三者对应空腔的部分形成敏感薄膜;第一压敏电阻和第一欧姆接触区,内嵌于器件层的表面;设置于第一钝化层的牺牲层、结构层和第二钝化层,结构层和第二钝化层对应空腔的部分悬空形成质量块和悬臂梁;第二压敏电阻和第二欧姆接触区,内嵌于悬空部分的结构层背离第一衬底的表面;引线层和金属填充层,引线层设置于第二钝化层的表面,金属填充层分别与引线层、第一欧姆接触区和第二欧姆接触区电连接;第二衬底,与第一衬底背离第一钝化层的表面连接。提高集成化程度,降低生产成本,简化工艺流程。
  • MEMS气体传感器及其制作方法-202311013155.4
  • T·L·奈恩;T·O·罗彻卢;苏星 - 启思半导体(杭州)有限责任公司
  • 2023-08-14 - 2023-09-12 - B81B7/02
  • 本发明涉及一种MEMS气体传感器及其制作方法。所述MEMS气体传感器包括基底以及形成于所述基底上的至少一个气体感测单元,每个所述气体感测单元包括形成于所述基底上的绝缘层、加热器、测试电极以及气敏材料层,所述绝缘层与所述基底之间具有空腔,所述绝缘层具有贯穿设置的至少一个释放孔,所述空腔通过所述释放孔与外界连通,所述释放孔用于在形成加热器、测试电极以及气敏材料层之后去除牺牲层或牺牲结构从而释放空腔,形成所述空腔的控制难度较低,可以提高空腔的制作精度,有助于缩小气体感测单元的尺寸以及集成密度,缩小MEMS气体传感器的尺寸。
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