[发明专利]一种泡沫镍负载银掺杂四氧化三钴纳米片及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201910163497.1 | 申请日： | 2019-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN109718809A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 刘又年;宋亚伟;邓留 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | B01J23/89 | 分类号： | B01J23/89;C25B11/06;C25B1/04 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 | 代理人： | 魏娟 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种泡沫镍负载银掺杂四氧化三钴纳米片及其制备方法和应用。所述泡沫镍负载银掺杂四氧化三钴纳米片，包括泡沫镍，以及原位生长于泡沫镍表面的银掺杂四氧化三钴纳米片。所述制备方法中，在聚乙烯吡咯烷酮(PVP)存在的水溶液中，通过硼氢酸盐的还原，同步实现银在四氧化三钴纳米片上的掺杂，以及原位生长于泡沫镍上。本发明克服了现有技术在材料制备方法复杂、成本高且电催化析氧(以下称：OER)性能差等问题，制备方法简单、经济高效，所得银掺杂的四氧化三钴材料形貌可控、同时具有较高的电导率、长期的稳定性、较低的过电势，具有优异的OER性能，非常适合应用于电催化析氧反应中。 | ||
| 搜索关键词： | 四氧化三钴纳米片 银掺杂 泡沫镍负载 制备方法和应用 原位生长 电催化 泡沫镍 制备 聚乙烯吡咯烷酮 电导率 泡沫镍表面 四氧化三钴 材料形貌 材料制备 析氧反应 过电势 可控 析氧 还原 掺杂 应用 | ||
【主权项】：
1.一种泡沫镍负载银掺杂四氧化三钴纳米片，其特征在于：包括泡沫镍，以及原位生长于泡沫镍表面的银掺杂四氧化三钴纳米片。
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