[发明专利]一种生长于泡沫镍表面的氢氧化镍纳米片阵列材料的制备方法有效
| 申请号： | 201910159435.3 | 申请日： | 2019-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN110040792B | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 邓意达;胡庆丰;李文博;胡文彬;钟澄;张金凤;韩晓鹏 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C01G53/04 | 分类号： | C01G53/04;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 李素兰 |
| 地址： | 300350 天津市津南区海*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种生长于泡沫镍表面的氢氧化镍纳米片阵列材料的制备方法；将泡沫镍置于酒精中超声波清洗，取出泡沫镍后用去离子水冲洗泡沫镍，再将冲洗后的泡沫镍置于酸溶液中浸泡1‑2h，取出后置于去离子水中超声波清洗；将表面活化处理得到的泡沫镍浸没在去离子水中自然氧化2～5天，反应温度为室温条件，得到竖直生长于泡沫镍表面的氢氧化镍纳米片阵列材料；本发明的制备方法无须高温、高压反应条件，无须高纯度镍盐作为反应原料，制备过程产生的污染物较少，更符合绿色化学合成理念，且成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 泡沫 表面 氢氧化 纳米 阵列 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种生长于泡沫镍表面的氢氧化镍纳米膜阵列材料的制备方法，其特征为包括以下步骤：1)泡沫镍的表面活化处理：将泡沫镍置于酒精中超声波清洗，取出泡沫镍后用去离子水冲洗泡沫镍，再将冲洗后的泡沫镍置于酸溶液中浸泡1‑2h，取出后置于去离子水中超声波清洗；2)去离子水中自然氧化制备竖直生长于泡沫镍表面的氢氧化镍纳米片阵列材料：将步骤1)得到的泡沫镍浸没在去离子水中自然氧化2～5天，反应温度为室温条件，得到生长于泡沫镍表面的氢氧化镍纳米片阵列材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学，未经天津大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910159435.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种三元正极材料及其制备方法
- 下一篇：一种污水厂多面空心球成串连接机械
