[发明专利]信号检测电路和信号检测方法有效

专利信息
申请号: 201910114449.3 申请日: 2019-02-14
公开(公告)号: CN110174177B 公开(公告)日: 2023-07-14
发明(设计)人: 宇都宫文靖;道关隆国;田中亚实 申请(专利权)人: 艾普凌科有限公司
主分类号: G01J5/35 分类号: G01J5/35;G01R19/165
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 于英慧;黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 信号检测电路和信号检测方法。信号检测电路具有:第1p沟道型MOS晶体管,其源极经由第1电流限制部与电源端子连接,栅极与输入端子连接,漏极经由电流电压转换部接地;第1n沟道型MOS晶体管,其漏极经由电阻与电源端子连接,栅极与输入端子连接,源极经由第2电流限制部接地;以及第2n沟道型MOS晶体管,其漏极跟电阻与第1n沟道型MOS晶体管的漏极的第1连接点连接,栅极跟第1p沟道型MOS晶体管的漏极与第3电流限制部的第2连接点连接,源极接地。
搜索关键词: 信号 检测 电路 方法
【主权项】:
1.一种信号检测电路,其特征在于,所述信号检测电路具有:第1p沟道型MOS晶体管,其源极经由第1电流限制部与电源端子连接,栅极被输入根据输入电压的电压电平的变化而变化的电压,漏极经由电流电压转换部接地;第1n沟道型MOS晶体管,其漏极经由电阻与所述电源端子连接,栅极被输入根据所述输入电压的电压电平的变化而变化的电压,源极经由第2电流限制部接地;以及第2n沟道型MOS晶体管,其漏极跟所述电阻与所述第1n沟道型MOS晶体管的漏极的第1连接点连接,栅极跟所述第1p沟道型MOS晶体管的漏极与所述电流电压转换部的第2连接点连接,源极接地。
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