[发明专利]一种原位生长Al等离激元纳米结构的方法有效

专利信息
申请号: 201910097665.1 申请日: 2019-01-31
公开(公告)号: CN109830568B 公开(公告)日: 2021-03-30
发明(设计)人: 黎大兵;吴忧;孙晓娟;贾玉萍;石芝铭 申请(专利权)人: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0232;G02B5/00;B82Y40/00
代理公司: 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 代理人: 张伟
地址: 130033 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明属于半导体技术领域,涉及一种原位生长Al等离激元纳米结构的方法。本发明的原位生长Al等离激元纳米结构的方法,在常规MOCVD生长AlGaN基探测器外延片的基础上,利用铝有机金属源受热分解的特性,在AlGaN基材料表面或是有源区原位生长Al的纳米结构,产生等离激元效应,为提高AlGaN基探测器外延片性能提供了新途径。本发明利用MOCVD方法在AlGaN基材料表面或是有源区原位生长Al等离激元纳米结构,制备Al等离激元结构的设备为生长AlGaN材料的高温MOCVD设备。本发明制备Al等离激元纳米结构的基本原理是MOCVD中的铝金属有机源受热分解的性能,在生长AlGaN基外延片的同时可以将Al等离激元生长在AlGaN基材料表面或是深入其有源区,更好的发挥其等离激元效应,从而提高AlGaN基紫外及深紫外探测器性能。
搜索关键词: 一种 原位 生长 al 离激元 纳米 结构 方法
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