[发明专利]硅蚀刻方法、硅块、直拉单晶的提拉方法及单晶有效
| 申请号： | 201910092226.1 | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN109860040B | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 宫尾秀一 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;胡影 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种硅蚀刻方法、硅块、直拉单晶的提拉方法及单晶，其中，硅蚀刻方法，包括以下步骤：步骤1，提供蚀刻对象物；步骤2，将所述对象物在pH＞7的碱性溶液中浸泡；步骤3，将浸泡后的所述对象物通过酸性蚀刻液清洗。根据本发明实施例的硅蚀刻方法可以有效的降低对象物表面的离子浓度，减少水的冲洗量和冲洗时间，节约成本。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 直拉单晶 | ||
【主权项】：
1.一种硅蚀刻方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，提供蚀刻对象物；步骤2，将所述对象物在pH＞7的碱性溶液中浸泡；步骤3，将浸泡后的所述对象物通过酸性蚀刻液蚀刻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
