[发明专利]一种硅化物生长单壁碳纳米管的方法有效
| 申请号： | 201910049694.0 | 申请日： | 2019-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN109573981B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 何茂帅;武倩汝;薛晗;辛本武;张浩;李栋 | 申请（专利权）人： | 青岛科技大学 |
| 主分类号： | C01B32/159 | 分类号： | C01B32/159;C01B32/162 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 郑平 |
| 地址： | 266045*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅化物生长单壁碳纳米管的方法，以FeSi为催化剂，以惰性气体为载气，使碳源在高温条件下生长窄手性/直径SWNTs。有效克服了催化剂制备复杂，SWNTs直径较大，手性分布广的问题，实现在以硅化物为催化剂生长SWNTs，制备出窄手性/直径分布的SWNTs，为硅化物作为手性选择性合成SWNTs的催化剂开辟了道路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅化物 生长 单壁碳 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅化物生长单壁碳纳米管的方法，其特征在于，以FeSi为催化剂，以惰性气体为载气，使碳源在高温条件下生长窄手性/直径SWNTs。
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