[发明专利]一种掺杂PbSe量子点的光敏聚合物有源层薄膜制备方法在审
| 申请号： | 201910015210.0 | 申请日： | 2019-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN109713134A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 王丽娟;张梁;王璐;刘昱含;边奇;朱彤;刘启民 | 申请（专利权）人： | 长春工业大学 |
| 主分类号： | H01L51/46 | 分类号： | H01L51/46;H01L51/42;H01L51/48;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130012 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明设计了一种掺杂PbSe量子点的光敏聚合物有源层薄膜制备方法，在Si/SiO2衬底（1）上利用旋涂法制备有源层（2）薄膜，且有源层（2）选用具有光敏特性的聚合物材料PTB7（3）作为有源层材料，并掺入水热法制成的PbSe量子点（4）改善其光敏特性。本发明克服当下技术中，改善有机场效应光敏晶体管的光敏特性操作步骤复杂且成本较高的问题，采用了简单的溶液加工方法，提升了有机场效应光敏晶体管的光敏特性，简化了制备工艺，增强了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 源层 光敏特性 量子点 光敏晶体管 光敏聚合物 有机场效应 薄膜制备 掺杂 聚合物材料 器件性能 溶液加工 水热法制 制备工艺 掺入 衬底 旋涂 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种掺杂PbSe量子点的光敏聚合物有源层薄膜制备方法，其特征在于在Si/SiO2衬底（1）上旋涂有源层（2），有源层材料选用聚合物PTB7（3），并掺入PbSe量子点（4）。
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