[发明专利]外延层和3D NAND存储器的形成方法、退火设备在审
申请号: | 201880096615.5 | 申请日: | 2018-11-20 |
公开(公告)号: | CN112997272A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 郭海峰;王孝进;朱宏斌;赖琳;程腾;肖莉红 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤;高翠花 |
地址: | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 一种外延层和3D NAND存储器的形成方法、退火设备,其中所述外延层的形成方法,先进行第一退火,以消除堆叠结构中产生的应力,在进行第一退火时,所述凹槽的侧壁和底部表面形成含硅的混合物,因而第一退火后,进行第二退火,进行第二退火,以去除所述凹槽侧壁和底部表面的含硅的混合物,使得后续在形成外延层时的生长界面为纯净的衬底材料界面,防止凹槽中形成的外延层中产生孔洞缺陷。 | ||
搜索关键词: | 外延 nand 存储器 形成 方法 退火 设备 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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