[发明专利]光刻方法和设备有效
| 申请号： | 201880086167.0 | 申请日： | 2018-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN111801619B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | A·B·杰尤恩克;拜尔拉克·摩艾斯特;E·H·E·C·奥姆梅伦;H·P·T·托尔斯马 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/62 | 分类号： | G03F1/62;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王益 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种光刻设备，包括：支撑结构(MT)，所述支撑结构被构造成支撑掩模(MA)和相关联的表膜(P)，所述掩模能够在辐射束的横截面中向所述辐射束赋予图案以形成经图案化的辐射束(PB)；和投影系统(PS)，所述投影系统被配置成将所述经图案化的辐射束投影到衬底(W)的目标部分上，其中，壁在所述支撑结构与所述投影系统之间延伸，所述壁包括允许所述经图案化的辐射束从所述掩模和表膜传递至所述投影系统的开口(22)，并且其中所述壁设置有压力传感器(30)的二维阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 方法 设备 | ||
【主权项】：
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G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
