[发明专利]锭块的制造方法、半导体晶片的制造方法及锭块的制造装置有效

专利信息
申请号: 201880082329.3 申请日: 2018-10-22
公开(公告)号: CN111771018B 公开(公告)日: 2022-04-19
发明(设计)人: 斋藤康裕 申请(专利权)人: 胜高股份有限公司
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;B28D5/04;C30B33/00;H01L21/304
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 杨戬
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种锭块的制造方法,其切断利用提拉法提拉的单晶硅锭并进行外周磨削,从而制造单晶硅的锭块,该锭块的制造方法执行如下工序:在沿锭的长边方向的1个以上的位置,测量锭的径向中心位置的工序(S2);设定测量出的锭的径向中心位置的偏离量为规定的偏芯量以下的基准位置的工序(S7);根据已设定的基准位置,将锭切断成锭块的工序(S8);及执行已切断的各锭块的外周磨削的工序(S9)。
搜索关键词: 制造 方法 半导体 晶片 装置
【主权项】:
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  • 张志安;张生迪;冯正中;张志斌 - 高邮市志安科技实业有限公司
  • 2023-07-03 - 2023-09-08 - C30B29/06
  • 本发明涉及半导体及光伏晶片领域,具体是指一种平拉晶片生产设备及平拉晶片生产方法,平拉晶片生产设备,包括上型腔、下型腔及熔料室,所述上型腔与下型腔之间所围区域为型腔,所述型腔下部设置用于控制温度的沉集面,所述熔料室顶部与沉集面联通,所述熔料室外部设有工频加热线圈,所述熔料室内部设有可沿熔料室内壁滑动的活塞,一种平拉晶片生产方法,生产过程如下所述:单晶硅料由进料口进入熔料室内部,工频加热线圈加热熔料室,单晶硅料熔化为单晶硅溶液,压杆驱动活塞压头平稳向上挤出单晶硅溶液,使单晶硅溶液通过成型口进入型腔,安装在成型口两侧的两根钼丝环绕出型口部的拉力拉速机构控制,钼丝与单晶硅溶液在型腔内部热结合为一体。
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