[发明专利]电离辐射和电离粒子的集成传感器有效
| 申请号： | 201880070239.2 | 申请日： | 2018-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN111279493B | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | A·里韦蒂;L·潘切里;P·朱比拉托;M·D·达罗查罗洛;G·马格蒂;O·迪可乐 | 申请（专利权）人： | 核物理国家研究院;拉芳德利责任有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/117 | 分类号： | H01L31/117 |
| 代理公司： | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人： | 张云娇 |
| 地址： | 意大利弗*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种具有后侧偏置电极和后侧结的电离辐射和/或电离粒子的半导体传感器，用于将半导体衬底完全耗尽至载流子收集区，每个载流子收集区连接至衬底中通过电离产生的载流子的各个收集电极。与现有的传感器不同，本公开的传感器具有形成在衬底上的中间半导体层，该中间半导体层的掺杂剂浓度大于衬底的掺杂剂浓度，并且具有相同类型的掺杂。在该中间层中，形成彼此隔离的相反类型的掩埋掺杂区，用于屏蔽其中限定了读出电路的浅表区。 | ||
| 搜索关键词： | 电离辐射 电离 粒子 集成 传感器 | ||
【主权项】：
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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