[发明专利]低发散高亮度宽条形激光器有效

专利信息
申请号: 201880051395.4 申请日: 2018-06-07
公开(公告)号: CN110998390B 公开(公告)日: 2023-05-30
发明(设计)人: 陈之纲;M·坎斯卡 申请(专利权)人: 恩耐公司
主分类号: G02B6/14 分类号: G02B6/14;H01S5/14
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 刘炳胜
地址: 美国华*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种装置包括:半导体波导,其沿纵轴延伸并且包括第一波导段和第二波导段,其中,就限定所述半导体波导的横向折射率差而言,所述第一波导段比所述第二波导段大;和输出端小面,其被定位在所述半导体波导的所述纵轴上,以便发射在所述半导体波导中传播的激光光束,其中,所述第一波导段被定位在所述第二波导段和所述输出端小面之间,并且其中,所述横向折射率差抑制了由所述输出端小面发射的激光光束中的高阶横模的发射。
搜索关键词: 发散 亮度 条形 激光器
【主权项】:
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  • 王希斌;廉天航;孙士杰;谢宇航;余启东;王菲;张大明 - 吉林大学
  • 2023-04-28 - 2023-07-14 - G02B6/14
  • 一种基于有机聚合物波导的模式不敏感光开关,属于模式不敏感光开关技术领域。由衬底、聚合物波导下包层、矩形结构的聚合物光波导芯层、聚合物波导上包层、第一石墨烯电容器和第二石墨烯电容器组成;聚合物波导下包层制备在衬底之上,聚合物波导上包层制备在聚合物波导下包层之上,矩形结构的聚合物光波导芯层被包覆在聚合物波导下包层和聚合物波导上包层之中。本发明的光开关采用聚合物材料进行波导结构的设计,以石墨烯作为调制电极并将其掩埋在波导内部,通过设计石墨烯电容器电极结构和优化掩埋位置,能够实现对TE11、TE21、TE12和TE22模式进行同时调制和开关,制备工艺上可与传统的CMOS工艺相兼容、易于集成。
  • 一种模斑转换装置及相关方法-202011363533.8
  • 汪绍武;李志伟;王谦 - 华为技术有限公司
  • 2020-11-28 - 2023-07-07 - G02B6/14
  • 本发明实施例公开了一种模斑转换装置及相关设备,该装置可包括:纵向模斑转换器,所述纵向模斑转换器包括N个几何体波导,且任意两个相邻的几何体波导之间通过填充材料进行填充;其中,所述N个几何体波导中的每个几何体波导包括入射面和出射面;所述填充材料的折射率低于所述任意两个相邻的几何体波导的折射率;所述N个几何体波导各自的入射面和出射面间的几何特征尺寸沿第一方向逐渐减小;所述纵向模斑转换器,用于接收第一电磁波信号,并通过所述N个几何体波导对所述第一电磁波信号进行纵向模斑处理,输出第二电磁波信号;所述纵向模斑处理包括纵向扩斑处理或纵向缩斑处理。采用本发明实施例可提升电磁波在不同波导之间传递的耦合效率。
  • 一种适用于TE1-202211548917.6
  • 荣巍巍;梁图禄;程曦 - 南通大学
  • 2022-12-05 - 2023-06-27 - G02B6/14
  • 本发明公开了一种适用于TE1和TE3模式之间转换的绝热模式转换连接器,包括硅芯和包层;硅芯为脊波导结构,由底部硅芯和顶部硅芯构成;沿光束传播方向,绝热模式转换连接器依次划分为输入端、第一绝热模式转换器、过渡部分、第二绝热模式转换器、输出端;第一绝热模式转换器用于将输入端的TE1模式转换成TM0模式;过渡部分用于实现TM0模式在不同波导宽度下的过渡;第二绝热模式转换器用于将TM0模式转换成输出端的TE3模式。本发明作为紧凑的绝热模式转换连接器,以一个尽可能短的长度实现TE1和TE3模式之间的转换连接,从而提高光子集成芯片的集成度实现更小尺寸以满足新一代信息技术发展的需求。
  • 一种硅基模斑转换器的逆向设计方法及硅基模斑转换器-202310298664.X
  • 刘力;袁平 - 中国地质大学(武汉)
  • 2023-03-22 - 2023-06-23 - G02B6/14
  • 本发明公开了一种硅基模斑转换器的逆向设计方法及硅基模斑转换器,属于集成光子器件技术领域。所述逆向设计方法包括:将器件待优化区域均匀等分为一定大小的像素单元;在像素单元的中心刻蚀不同半径大小的空气柱,以改变设计区域的拓扑结构;定义品质因数描述设计器件性能的优劣;设计梯度逆向设计算法计算每个像素单元的刻蚀孔径的梯度信息,根据梯度信息更新每个像素单元的刻蚀孔径;算法不断迭代更新直至收敛。此设计算法也可以应用于其他硅基器件的制造,提高设计效率;并首次提出梯度逆向设计方法应用于设计模斑转换器,实现了尺寸仅为12μm×2.4μm的硅基模斑转换器,具有尺寸小、高集成度、制备简单等优势。
  • 一种适用于TM1-202211347516.4
  • 梁图禄;荣巍巍 - 南通大学
  • 2022-10-31 - 2023-06-20 - G02B6/14
  • 本发明公开了一种适用于TM1和TE2模式转换的绝热模式转换器,包括硅芯和包层;硅芯为脊波导结构,由底部硅芯和顶部硅芯构成;沿光束传播方向,底部硅芯的宽度保持不变;顶部硅芯的输入端和输出端分别为平行板波导,输入端的宽度WL1.80μm,输出端的宽度WR2.0μm;沿光束传播方向,输入端和输出端之间的顶部硅芯由片段a~片段k共11个连续的片段构成;本发明的绝热模式转换器基于沿模式传播方向的均衡模式转换功率损耗来选择各个片段的长度,通过这样的布置实现高效紧凑的绝热模式转换器。
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