[发明专利]在交叉点存储器阵列中的自我对准存储器层板在审
| 申请号： | 201880050885.2 | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN110998829A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | A·皮罗瓦诺;F·佩里兹;A·M·孔蒂;A·雷达埃利;I·托尔托雷利 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L25/065;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种多层存储器装置，其具有具备自我选择存储器单元的多个存储器层板的阵列，其中可使用N+1个掩模操作制造N个存储器层板。所述多个存储器层板可为自我对准的且可针对多个存储器层板同时执行某些制造操作。举例来说，可在单个掩模操作中执行图案化第一存储器层板的位线方向及所述第一存储器层板上方的第二存储器层板中的字线方向，且可在相同后续蚀刻操作中蚀刻两个层板。相对于其中每一存储器层板使用两个或两个以上掩模及蚀刻操作处理每一存储器层板的处理技术，此类技术可提供可容许制造设施的增强处理能力、额外产能及更高良率的有效制造。 | ||
| 搜索关键词： | 交叉点 存储器 阵列 中的 自我 对准 | ||
【主权项】：
暂无信息
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