[发明专利]基座及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201880046563.0 申请日: 2018-10-05
公开(公告)号: CN110914955B 公开(公告)日: 2022-10-28
发明(设计)人: 大洼修一;高桥辉;铃木俊哉;薄叶秀彦 申请(专利权)人: 新日本科技炭素株式会社
主分类号: H01L21/205 分类号: H01L21/205;C01B32/21;C23C16/42;C23C16/46;H01L21/683
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 李洋
地址: 日本宫城县黑川*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种温度控制的响应性提升了的基座及其制造方法,且目的在于无损生产性而获得高品质的晶片制品。所述基座,通过感应加热而发热,所述基座的特征在于具有石墨基材与陶瓷涂布层,且石墨基材的室温下的面内的比电阻分布的偏差(ρmaxmin)为1.00~1.05,800℃与1600℃下的比电阻的高温变化率(ρ1600800)为1.14~1.30。
搜索关键词: 基座 及其 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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