[发明专利]具有增大的操作范围的磁阻元件有效
| 申请号： | 201880033084.5 | 申请日： | 2018-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN110662976B | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | P·康皮戈里欧;J·伊根 | 申请（专利权）人： | 阿莱戈微系统有限责任公司 |
| 主分类号： | G01R33/00 | 分类号： | G01R33/00;G01R33/09 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 邬少俊 |
| 地址： | 美国新罕*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 沉积在衬底上的磁阻元件包括具有相对的第一表面和第二表面并且包括第一多个层的第一堆叠部分。所述第一堆叠部分具有对应于第一磁场强度范围内的外加磁场的第一基本上线性的响应。所述磁阻元件还包括具有相对的第一表面和第二表面并且包括第二多个层的第二堆叠部分。第二堆叠部分的第一表面设置在第一堆叠部分的第二表面之上，并且第二堆叠部分具有不同于第一基本上线性的响应的第二基本上线性的响应。第二基本上线性的响应对应于第二磁场强度范围内的外加磁场。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增大 操作 范围 磁阻 元件 | ||
【主权项】：
1.一种沉积在衬底上的磁阻元件，包括：/n第一堆叠部分，具有相对的第一表面和第二表面并且包括第一多个层，所述第一堆叠部分具有对应于第一磁场强度范围内的外加磁场的第一基本上线性的响应；以及/n第二堆叠部分，具有相对的第一表面和第二表面并且包括第二多个层，其中，所述第二堆叠部分的第一表面设置在所述第一堆叠部分的第二表面之上，并且所述第二堆叠部分具有不同于所述第一基本上线性的响应的第二基本上线性的响应，所述第二基本上线性的响应对应于第二磁场强度范围内的所述外加磁场。/n
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