[发明专利]精细金属掩模制造方法及发光元件制造用精细金属掩模有效
| 申请号： | 201880021845.5 | 申请日： | 2018-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN110506342B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 宋文燮;金领善 | 申请（专利权）人： | 创造未来有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00;C23C14/04;H01L51/50 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 李盛泉;孙昌浩 |
| 地址： | 韩国忠清*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提出一种降低了材料成本并提高了生产性的精细金属掩模制造方法。根据本发明的精细金属掩模制造方法包括：准备包括精细金属掩模框架的制造基板的步骤；以及在精细金属掩模框架的至少一部分暴露于外部的制造面镀覆用于精细金属掩模的金属层的镀覆步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 精细 金属 制造 方法 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种精细金属掩模制造方法，包括：/n准备包括精细金属掩模框架的制造基板的步骤；以及/n在所述精细金属掩模框架的至少一部分暴露于外部的制造面镀覆用于精细金属掩模的金属层的镀覆步骤。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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