[实用新型]一种对接耦合型探测器有效
| 申请号： | 201822275522.9 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN209418528U | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 孙思维 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L27/144;H01L31/08 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 李博洋 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种对接耦合型探测器。该对接耦合型探测器包括：衬底，以及沿入射光传播方向在衬底上依次同层设置有无源波导区，对接耦合区和吸收区；对接耦合区嵌入吸收区，与吸收区耦合，对接耦合区沿入射光传播方向上的截面积逐渐变小，通过实施本实用新型的对接耦合型探测器，通过对接耦合区改变现有技术中无源波导区和吸收区对接界面处光的模式分布，使光通过对接耦合区均匀耦合入吸收区，从而解决了对接耦合型探测器过早饱和的难题，此方法能够在保持对接耦合型探测器高耦合效率、高带宽的前提下，明显提高对接耦合型探测器的饱和输出功率。 | ||
| 搜索关键词： | 对接耦合 探测器 吸收区 本实用新型 传播方向 耦合 入射光 衬底 饱和输出功率 高耦合效率 无源波导区 对接界面 模式分布 同层设置 逐渐变小 高带宽 源波导 嵌入 饱和 | ||
【主权项】：
1.一种对接耦合型探测器，其特征在于，包括：衬底，以及沿入射光传播方向在所述衬底上依次同层设置有无源波导区，对接耦合区和吸收区；所述对接耦合区嵌入所述吸收区，与所述吸收区耦合；所述对接耦合区沿所述入射光传播方向上的截面积逐渐变小。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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