[实用新型]背入射式共面电极多单元芯片有效
申请号: | 201822196268.3 | 申请日: | 2018-12-25 |
公开(公告)号: | CN209401639U | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 杨彦伟;刘宏亮;刘格;邹颜 | 申请(专利权)人: | 深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳智汇远见知识产权代理有限公司 44481 | 代理人: | 田俊峰 |
地址: | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种背入射式共面电极多单元芯片,包括衬底、缓冲层、吸收层和顶层;芯片上包括多个分光单元,每个分光单元包括透光孔、光敏区和第一电极;透光孔贯穿吸收层;吸收层内对应光敏区的区域为光电转换区;第一电极设于芯片的正面,第一电极与对应的光敏区的另一端相连接;芯片的正面上还设有至少一个第二电极,第二电极与缓冲层相连接;芯片的背面为入光侧,每个分光单元的透光孔使对应的入射光的一部分透射分出,入射光的另一部分在对应的光电转换区进行光电转换;故本实用新型提供的芯片能够对多束入射光的每束入射光进行分光和光功率监控,进而使用本实用新型提供的芯片的光路系统,无需使用光分路器,大大减少了系统体积,也降低了成本。 | ||
搜索关键词: | 芯片 入射光 第一电极 分光单元 光敏区 透光孔 吸收层 本实用新型 光电转换区 背入射式 第二电极 共面电极 多单元 缓冲层 光功率监控 光电转换 光分路器 光路系统 顶层 透射 衬底 分出 分光 背面 贯穿 | ||
【主权项】:
1.一种背入射式共面电极多单元芯片,其特征在于:所述芯片包括衬底、缓冲层、吸收层和顶层;所述芯片上包括多个分光单元,每个所述分光单元包括透光孔、光敏区和第一电极;所述透光孔向远离所述芯片背面的方向开口并贯穿所述吸收层和所述顶层;所述光敏区设于所述顶层并一端与所述吸收层相连接;所述吸收层内对应所述光敏区的区域为光电转换区;所述第一电极设于所述芯片的正面,所述第一电极与对应的所述光敏区的另一端相连接;所述芯片的正面上还设有至少一个第二电极,所述第二电极与所述缓冲层相连接;所述芯片的背面为入光侧,每个所述分光单元的透光孔使对应的入射光的一部分透射分出,入射光的另一部分在对应的所述光电转换区进行光电转换。
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- 本实用新型用于太阳能光伏发电领域涉及是一种光伏组件用平面紧密堆积型反光膜,旨在优化反光膜的表面结构来增加光伏组件内电池片受光的总量,提升光伏组件的功率并将反光膜本身产生的炫光污染降到最低。包括基材、微结构层和反光层,基材上部设置有微结构层,微结构层上部设置有反光层;基材包括基底层和粘结层,基底层下部设置有粘结层;微结构层包括底座和微棱镜层,基底层上为底座,底座上部设置有微棱镜层。本实用新型将入射到反光膜上的太阳光以更多方向和更多角度反射到玻璃和空气的界面处发生全反射到达电池片上,增加光伏组件内电池片受光的总量,从而提升光伏组件的功率。平面紧密堆积型反光膜能很大程度上减弱本身产生的眩光污染。
- 一种硅基光栅化源极太赫兹探测器-201811094805.1
- 马建国;刘亚轩;傅海鹏 - 天津大学
- 2018-09-19 - 2019-03-08 - H01L31/0232
- 一种硅基光栅化源极太赫兹探测器,包括有MOS管,所述MOS管包括有由下至上依次设置的衬底层、沟道层和绝缘层,所述的衬底层一端的上端面设置有嵌入在所述沟道层和绝缘层内的漏极,所述的绝缘层上与所述漏极相邻的设置有栅极,所述栅极远离漏极的一侧设置有等间隔排布的光栅结构的源极,所述光栅结构的源极中的每一条源极均嵌入在所述沟道层和绝缘层内,且底端与所述衬底层相连接。本发明能够有效的将空间中的太赫兹信号耦合至晶体管源极,并在晶体管中产生太赫兹频段的交流电信号,利用晶体管的检波特性将太赫兹信号转化为直流电信号并通过漏极进行输出,从而实现太赫兹信号探测。本发明能够提高耦合效率、降低损耗。
- 感光芯片的注塑封装结构-201821110525.0
- 党巍;朱洪杰;刘琦 - 沈阳中光电子有限公司
- 2018-07-13 - 2019-02-15 - H01L31/0232
- 本实用新型涉及光电产品领域,具体是感光芯片的注塑封装结构,包括:注塑体,注塑体由导光材料注塑制成,注塑体的顶部为照射表面,感光芯片封装在注塑体内,其中一部分照射光穿过注塑体的顶部照射在感光芯片上;折射部,折射部设置注塑体的顶部边缘,其中另一部分照射光通过折射部折射后倾斜的穿过注塑体并照射在感光芯片上;感光芯片的感光面设置在折射部的焦点的前端或后端或者前端与后端之间。本实用新型提供的感光芯片的注塑封装结构,照射在注塑体顶部边缘的照射光通过折射部折射后,能够照射在感光芯片上,提高了感光芯片上的照射光的照射量,解决了相同的光照强度下,一部分照射光流失,感光芯片的感应电流较小的问题。
- 一种基于肖特基势垒的宽频段光检测器-201811202937.1
- 不公告发明人 - 中山科立特光电科技有限公司
- 2018-10-16 - 2019-01-04 - H01L31/0232
- 本发明涉及一种基于肖特基势垒的宽频段光检测器,包括衬底层,所述衬底层的上方设置有第一电极层,所述第一电极层的上方设置有有机材料,所述有机材料的上表面设置有多个周期分布的孔洞,并且有机材料的上表面还覆盖有金属膜;该基于肖特基势垒的宽频段光检测器,解决现有光热探测器无法进行较宽频段的光的检测的问题,通过有机物与金属形成肖特基结,由入射光对肖特基结的势垒造成影响,通过检测肖特基势垒的变化,从而反应入射光的特性;本发明提供的这种宽频段光检测器,在有机材料上设置有较深的孔洞,能够对更宽频段的入射光具有很好的吸收特性,从而影响有机材料内部的载流子,使得所形成的肖特基结的肖特基势垒发生变化。
- 一种用于光伏组件的光全反射膜-201820650508.X
- 王同心;赵永年;殷镭城;薛群山;沈一春 - 中天科技精密材料有限公司;江苏中天科技股份有限公司
- 2018-05-03 - 2019-01-04 - H01L31/0232
- 本实用新型涉及一种具有反光微结构的薄膜,特别是一种用于光伏组件的光全反射膜。包括微结构反光层、基底层和粘结层,其中所述微结构反光层设置在基底层上表面,微结构反光层包括微结构层和反光层,反光层设置在微结构层外部,所述粘结层设置在基底层下表面;所述微结构层由复数个微圆锥结构连续规律性排列,所述微圆锥底面设置在基底层上表面,所述微圆锥的高与基底层的上表面垂直。实用新型用于光伏组件的光全反射膜中所述反光微结构为圆锥状,既可以增大反光面积,又可以利用从不同角度照射过来的太阳光,从而达到提高光线利用率并提高光伏组件输出功率的目的。
- 一种N-CDs/PVP薄膜、具有高光电转换效率的荧光太阳能聚集器及其制备方法-201810873360.0
- 龚晓;王子君;赵修建 - 武汉理工大学
- 2018-08-02 - 2018-12-28 - H01L31/0232
- 本发明属于新材料技术领域,具体涉及一种N‑CDs/PVP薄膜、具有高光电转换效率的荧光太阳能聚集器及其制备方法。本发明以氮掺杂碳量子点作为荧光微粒,PVP作为成膜辅助剂,提供的N‑CDs/PVP薄膜UV‑Vis吸收范围更广、薄膜透过率更高、PL发射光更强等。由此提供的荧光太阳能聚集器光电转化效率高。
- 一种内嵌反射镜的二维材料光电探测器及其制备方法和应用-201810432151.2
- 杨亿斌;李京波;招瑜;肖也;罗东向;牟中飞;郑照强 - 广东工业大学
- 2018-05-08 - 2018-11-20 - H01L31/0232
- 本发明属于微纳光电子技术领域,公开了一种内嵌反射镜的二维材料光电探测器及其制备方法。所述二维材料光电探测器自下而上依次包括衬底、金属反射镜、介质层、二维材料和源漏电极。在衬底与介质层之间内嵌金属反射镜,具体制备步骤为:先在衬底上镀一层高反射率的金属;在金属反射镜上镀介质层;将二维材料生长或者转移到介质层上面;在二维材料上镀源漏电极。该内嵌反射镜的二维材料光电探测器的制备方法具有操作简单、工艺步骤少、效率高、有效提高器件探测性能等优点。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的